[发明专利]检测栅氧化层完整性的方法

权利要求书

1.一种检测栅氧化层完整性的方法，其特征在于，包括：

根据目标显著性水平、目标失效芯片数以及目标缺陷密度，获得最小样本数；

以大于或等于所述最小样本数的被测芯片样本数，进行斜坡电压测试；

对被测芯片是否通过斜坡电压测试进行评估。

2.如权利要求1所述的检测栅氧化层完整性的方法，其特征在于，根据目标显著性水平、目标失效数以及目标缺陷密度，获得最小样本数，包括根据下述公式计算获得最小样本数：

其中，SS为最小样本数，f为目标失效芯片数，D₀为目标缺陷密度，A_test为被测栅氧化层的面积，α为显著性水平，F_α为目标显著性水平、目标失效芯片数及最小样本数的函数。

3.如权利要求1所述的检测栅氧化层完整性的方法，其特征在于，以最小样本数的被测芯片样本数，进行斜坡电压测试。

4.如权利要求3所述的检测栅氧化层完整性的方法，其特征在于，对被测芯片是否通过斜坡电压测试进行评估，包括：

将斜坡电压测试后被测芯片的失效数与目标失效数进行比较；

若被测芯片的失效数小于或等于目标失效芯片数，则被测芯片通过斜坡电压测试；

若被测芯片的失效数大于目标失效芯片数，则被测芯片未通过斜坡电压测试。

5.如权利要求3所述的检测栅氧化层完整性的方法，其特征在于，对被测芯片是否通过斜坡电压测试进行评估，包括：

根据斜坡电压测试后被测芯片的失效数，获得被测芯片缺陷密度的单边上置信界限；

将被测芯片缺陷密度的单边上置信界限与目标缺陷密度进行比较；

若被测芯片缺陷密度的单边上置信界限小于或等于目标缺陷密度，则被测芯片通过斜坡电压测试；

若被测芯片缺陷密度的单边上置信界限大于目标缺陷密度，则被测芯片未通过斜坡电压测试。

6.如权利要求1所述的检测栅氧化层完整性的方法，其特征在于，以大于最小样本数的被测芯片样本数，进行斜坡电压测试。

7.如权利要求6所述的检测栅氧化层完整性的方法，其特征在于，对被测芯片是否通过斜坡电压测试进行评估，包括：

根据斜坡电压测试后被测芯片的失效数，获得被测芯片缺陷密度的单边上置信界限；

将被测芯片缺陷密度的单边上置信界限与目标缺陷密度进行比较；

若被测芯片缺陷密度的单边上置信界限小于或等于目标缺陷密度，则被测芯片通过斜坡电压测试；

若被测芯片缺陷密度的单边上置信界限大于目标缺陷密度，则被测芯片未通过斜坡电压测试。

8.如权利要求5或7所述的检测栅氧化层完整性的方法，其特征在于，根据斜坡电压测试后被测芯片的失效数，获得被测芯片缺陷密度的单边上置信界限，包括根据下述公式计算获得被测芯片缺陷密度的单边上置信界限：

pUCL=(f+1)Fα[2(f+1),2(N-f)](N-f)+(f+1)Fα[2(f+1),2(N-f)]]]>

DUCL=-ln(1-pUCL)Atest,]]>

其中，f指被测芯片的失效数量，N为被测芯片的样本数，p_UCL为被测芯片失效率的单边上置信界限，D_UCL为被测芯片缺陷密度的单边上置信界限，α为显著性水平，F_α为目标显著性水平、被测芯片失效数及被测芯片样本数的函数。