[发明专利]一种肖特基势垒二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 200910050995.1 | 申请日： | 2009-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN101697357A | 公开（公告）日： | 2010-04-21 |
| 发明（设计）人： | 杨忠武;宋凯霖;洪旭峰;任宏志 | 申请（专利权）人： | 上海芯石微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L21/316;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种肖特基势垒二极管及其制备方法，该二极管的结构为：以N型半导体为基片，在上面形成N-外延层，阳极为(阻档层)金属材料；其制备包括：在硅外延片和金属之间用75度清洗试剂清洗10-30分钟生长一层薄氧化层，氧化层厚度在 |
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| 搜索关键词： | 一种 肖特基势垒二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基势垒二极管，其结构包括：以N型半导体为基片(阴极)，在上面生长N-外延层，N-外延淀积一层金属M作为阳极。
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