[发明专利]一种肖特基势垒二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 200910050995.1 | 申请日： | 2009-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN101697357A | 公开（公告）日： | 2010-04-21 |
| 发明（设计）人： | 杨忠武;宋凯霖;洪旭峰;任宏志 | 申请（专利权）人： | 上海芯石微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L21/316;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基势垒二极管 及其 制备 方法 | ||
1.一种肖特基势垒二极管，其结构包括：以N型半导体为基片(阴极)，在上面生长N-外延层，N-外延淀积一层金属M作为阳极。
2.根据权利要求1所述的肖特基势垒二极管，其特征在于，所述的金属M为Cr或Ni/Cr合金。
3.根据权利要求1所述的肖特基势垒二极管，其特征在于，所述的肖特基势垒二极管是一低正向压降肖特基势垒二极管。
4.一种肖特基势垒二极管的制备方法，其步骤包括：在硅外延片和金属之间用75度清洗试剂清洗10--30分钟生长一层薄氧化层，氧化层厚度在然后溅射或蒸发金属，合金形成硅化物，作为势垒层，从而形成了肖特基势垒二极管。
5.根据权利要求4所述的肖特基势垒二极管的制备方法，其特征在于，所述的薄氧化层为MSix金属硅化物。
6.根据权利要求5所述的肖特基势垒二极管的制备方法，其特征在于，所述的薄氧化层为CrSi或CrSi2，其中，x＝1-2。
7.根据权利要求6所述的肖特基势垒二极管的制备方法，其特征在于，所述的薄氧化层为CrSi2，其中，x＝2。
8.根据权利要求4所述的肖特基势垒二极管的制备方法，其特征在于，所述的氧化层厚度为
9.根据权利要求4所述的肖特基势垒二极管的制备方法，其特征在于，所述的清洗试剂为H2O2或H2O2与NH3OH、H2O的混合溶液，其混合溶液的配比为1∶2∶8-1∶2∶10。
10.根据权利要求4所述的肖特基势垒二极管的制备方法，其特征在于，所述的清洗时间为10min。
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