[发明专利]N型金属氧化物半导体器件及其制作方法无效
| 申请号： | 200910049286.1 | 申请日： | 2009-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN101866950A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 朱志炜;廖金昌 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/105;H01L21/761;H01L23/60 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供NMOS器件及其制作方法，以提高NMOS作为ESD保护器件的有效性。该NMOS用作ESD保护器件，该NMOS包含漏极，且位于有源区，所述有源区包含于P型衬底内；且在所述P型衬底内，还设置有环绕所述有源区的N型隔离墙；该方法包括步骤：在所述P型衬底内，制作环绕所述有源区的N型隔离墙。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种N型金属氧化物半导体器件，用作静电释放保护器件，该N型金属氧化物半导体包含漏极，且位于有源区，所述有源区包含于P型衬底内；其特征在于，在所述P型衬底内，还设置有环绕所述有源区的N型隔离墙。
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