[发明专利]N型金属氧化物半导体器件及其制作方法无效
| 申请号： | 200910049286.1 | 申请日： | 2009-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN101866950A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 朱志炜;廖金昌 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/105;H01L21/761;H01L23/60 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体器件 及其 制作方法 | ||
1.一种N型金属氧化物半导体器件，用作静电释放保护器件，该N型金属氧化物半导体包含漏极，且位于有源区，所述有源区包含于P型衬底内；其特征在于，在所述P型衬底内，还设置有环绕所述有源区的N型隔离墙。
2.如权利要求1所述的N型金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述隔离墙的俯视图为矩形或正方形，且所述隔离墙俯视图的各边分别与有源区俯视图的各边平行。
3.如权利要求1所述的N型金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述隔离墙与该N型金属氧化物半导体漏极连接。
4.如权利要求3所述的N型金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述隔离墙及漏极连接的连接结构为：隔离墙及漏极上分别设置有接触孔，且两者的接触孔通过金属线连接。
5.一种N型金属氧化物半导体器件制作方法，所述N型金属氧化物半导体用作静电释放保护器件，包含有漏极，且位于有源区，所述有源区包含于P型衬底内；其特征在于，包括：
在所述P型衬底内，制作环绕所述有源区的N型隔离墙。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述隔离墙的俯视图为矩形或正方形，且隔离墙俯视图的各边分别与有源区俯视图的各边平行。
7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，还包括将所述隔离墙连接至该N型金属氧化物半导体漏极的步骤。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述连接，具体包括：
在所述隔离墙及漏极上分别制作接触孔；及
用金属线将隔离墙上的接触孔连接至漏极上的接触孔。
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