[发明专利]半导体可变电容无效
| 申请号： | 200910047571.X | 申请日： | 2009-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN101834213A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 程仁豪 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L29/36 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体可变电容，包括：半导体衬底；离子阱，位于所述半导体衬底上，其内设有多个离子掺杂区域，各区域分别作为源极或漏极；栅极介电层，位于所述离子阱上；栅极，位于源极和漏极之间并叠加在所述栅极介电层上方；绝缘层，位于所述离子阱上表面、栅极介电层和栅极叠加而成的侧壁以及栅极上表面，位于所述绝缘层侧壁还设有侧墙。与现有半导体可变电容相比，本发明的半导体可变电容由于在栅极与漏极重叠部分以及栅极与源极重叠部分的地方，其掺杂浓度比含有LDD/Pck的半导体可变电容要轻很多，增加耗尽层的宽度，降低了及栅极与源极、栅极与漏极之间的电容Cf值，从而提高了电容的调频范围。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 可变电容 | ||
【主权项】：
一种半导体可变电容，其特征在于，包括：半导体衬底；离子阱，位于所述半导体衬底上，其内设有多个离子掺杂区域，各区域分别作为源极或漏极；栅极介电层，位于所述离子阱上；栅极，位于源极和漏极之间并叠加在所述栅极介电层上方；绝缘层，位于所述离子阱上表面、栅极介电层和栅极叠加而成的侧壁以及栅极上表面。
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