[发明专利]半导体可变电容无效
| 申请号： | 200910047571.X | 申请日： | 2009-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN101834213A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 程仁豪 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L29/36 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 可变电容 | ||
1.一种半导体可变电容，其特征在于，包括：
半导体衬底；
离子阱，位于所述半导体衬底上，其内设有多个离子掺杂区域，各区域分别作为源极或漏极；
栅极介电层，位于所述离子阱上；
栅极，位于源极和漏极之间并叠加在所述栅极介电层上方；
绝缘层，位于所述离子阱上表面、栅极介电层和栅极叠加而成的侧壁以及栅极上表面。
2.如权利要求1所述的半导体可变电容，其特征在于：位于所述绝缘层侧壁还设有侧墙。
3.如权利要求1所述的半导体可变电容，其特征在于：所述离子阱为P型离子阱或者N型离子阱。
4.如权利要求1所述的半导体可变电容，其特征在于：所述半导体衬底为P型衬底或者SOI衬底。
5.如权利要求1所述的半导体可变电容，其特征在于：所述栅极介电层为氮化物或者氧化物。
6.如权利要求1所述的半导体可变电容，其特征在于：所述栅极为多晶硅栅极或金属栅极。
7.如权利要求1所述的半导体可变电容，其特征在于：所述绝缘层为氧化物、氮化物或氧化物与氮化物的组合物。
8.一种半导体可变电容，其特征在于，包括：
半导体衬底；
P型离子阱，位于所述半导体衬底上，其内设有多个离子掺杂区域，各区域分别作为源极或漏极；
栅极介电层，位于所述P型离子阱上；
P型多晶硅栅极，位于源极和漏极之间并叠加在所述栅极介电层上方；
绝缘层，位于所述P型离子阱上表面、栅极介电层和栅极叠加而成的侧壁以及栅极上表面。
9.一种半导体可变电容，其特征在于，包括：
半导体衬底；
N型离子阱，位于所述半导体衬底上，其内设有多个离子掺杂区域，各区域分别作为源极或漏极；
栅极介电层，位于所述N型离子阱上；
P型多晶硅栅极，位于源极和漏极之间并叠加在所述栅极介电层上方；
绝缘层，位于所述N型离子阱上表面、栅极介电层和栅极叠加而成的侧壁以及栅极上表面；
侧墙，位于所述绝缘层侧壁。
10.一种半导体可变电容，其特征在于，包括：
半导体衬底；
N型离子阱，位于所述半导体衬底上，其内设有多个离子掺杂区域，各区域分别作为源极或漏极；
栅极介电层，位于所述N型离子阱上；
N型多晶硅栅极，位于源极和漏极之间并叠加在所述栅极介电层上方；
绝缘层，位于所述N型离子阱上表面、栅极介电层和栅极叠加而成的侧壁以及栅极上表面；
侧墙，位于所述绝缘层侧壁。
11.一种半导体可变电容，其特征在于，包括：
半导体衬底；
P型离子阱，位于所述半导体衬底上，其内设有多个离子掺杂区域，各区域分别作为源极或漏极；
栅极介电层，位于所述P型离子阱上；
N型多晶硅栅极，位于源极和漏极之间并叠加在所述栅极介电层上方；
绝缘层，位于所述P型离子阱上表面、栅极介电层和栅极叠加而成的侧壁以及栅极上表面；
侧墙，位于所述绝缘层侧壁。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910047571.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发光装置
- 下一篇：一种沟槽功率MOS器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
