[发明专利]源漏极离子注入的方法有效
| 申请号： | 200910047440.1 | 申请日： | 2009-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN101834137A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 周地宝 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 宋志强;麻海明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了源漏极离子注入的方法：对晶圆上的源漏极区域依次进行第一次离子注入和第二次离子注入，且第一次比第二次离子注入的更深，第一次比第二次离子注入的浓度小；然后，使用碳离子对源漏极区域进行离子注入，所述碳离子注入的深度介于第一次离子注入和第二次离子注入的深度之间。本发明实施例的源漏极离子注入的方法，在现有的IMP1和IMP2完成后，增加了一个碳离子注入的步骤，并控制将碳离子注入到IMP1和IMP2之间的深度，使得碳离子在退火过程中能够有效抑制IMP2层中的高浓度离子向Well中的扩散，使得最终形成的PN结较浅，PN结耗尽层向Well中的推进程度减弱，增大了有效沟道的宽度，从而提高了对MOS管短沟道效应的控制，改善了MOS管器件的工作性能。 | ||
| 搜索关键词： | 源漏极 离子 注入 方法 | ||
【主权项】：
一种源漏极离子注入的方法，其特征在于，该方法包括：对晶圆上的源漏极区域依次进行第一次离子注入和第二次离子注入，且第一次比第二次离子注入的更深，第一次比第二次离子注入的浓度小；然后，使用碳离子对源漏极区域进行离子注入，所述碳离子注入的深度介于第一次离子注入和第二次离子注入的深度之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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