[发明专利]源漏极离子注入的方法有效
| 申请号： | 200910047440.1 | 申请日： | 2009-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN101834137A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 周地宝 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 宋志强;麻海明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 源漏极 离子 注入 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种源漏极离子注入的方法，其特征在于，该方法包括：
对晶圆上的源漏极区域依次进行第一次离子注入和第二次离子注入，且第一次比第二次离子注入的更深，第一次比第二次离子注入的浓度小；
然后，使用碳离子对源漏极区域进行离子注入，所述碳离子注入的深度介于第一次离子注入和第二次离子注入的深度之间。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对于P型源漏极区域，所述对晶圆上的源漏极区域依次进行第一次离子注入和第二次离子注入的方法包括：
使用P型离子进行第一次离子注入，其离子注入深度较深，离子浓度为1013～1014个/平方厘米；
使用P型离子进行第二次离子注入，其离子注入深度较浅，离子浓度为1015～1016个/平方厘米。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对于N型源漏极区域，所述对晶圆上的源漏极区域依次进行第一次离子注入和第二次离子注入的方法包括：
使用N型离子进行第一次离子注入，其离子注入深度较深，离子浓度为1013～1014个/平方厘米；
使用N型离子进行第二次离子注入，其离子注入深度较浅，离子浓度为1015～1016个/平方厘米。
4.根据权利要求1、2或3所述的方法，其特征在于，所述碳离子注入的浓度为1014～1015个/平方厘米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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