[发明专利]晶圆级芯片尺寸封装方法

摘要

本发明公开了一种晶圆级芯片尺寸封装方法，按如下步骤进行：a.在晶圆的正面固定覆盖一层玻璃，将晶圆从背面研磨减薄至设定尺寸厚度，再对晶圆背面进行等离子蚀刻；b.将晶圆背面冲洗干净；c.在晶圆背面按设计进行激光打孔，在晶圆背面按设计形成若干微孔，微孔将晶圆正面部分的可导通处外露于晶圆背面形成若干导通点；d.对晶圆背面按设计进行电镀形成与导通点数量对应的金属线，金属线连通导通点和晶圆背面需植焊球的地方；e.按设计在晶圆背面需植焊球的地方植焊球；f.将晶圆沿切割线切割成单颗封装好的器件。利用激光打孔技术进行微孔的制作，不存在热烧残渣，加工出的孔质量较优且孔内清洁，可有效提高生产效率、降低生产成本和改善生产环境。

主权项

一种晶圆级芯片尺寸封装方法，其特征在于：按如下步骤进行：a.在晶圆的正面固定覆盖一层玻璃(6)，通过研磨机将晶圆从背面研磨减薄至设定尺寸厚度，再对晶圆背面进行等离子蚀刻直至晶圆背面的表面光洁；b.将晶圆背面用丙酮冲洗干净，再用气枪清除晶圆背面的残余丙酮；c.通过激光打孔机在晶圆背面按设计要求进行激光打孔，在晶圆背面按设计要求形成若干微孔(3)，该微孔将晶圆正面部分的可导通处外露于晶圆背面形成若干导通点(2)；d.对晶圆背面按设计要求进行电镀形成与导通点数量对应的金属线(4)，该金属线连通导通点和晶圆背面需植焊球的地方；e.按设计要求在晶圆背面需植焊球的地方植焊球(5)；f.将晶圆沿切割线(7)切割成单颗封装好的器件(8)。