[发明专利]晶圆级芯片尺寸封装方法

权利要求书

1.一种晶圆级芯片尺寸封装方法，其特征在于：按如下步骤进行：

a.在晶圆的正面固定覆盖一层玻璃(6)，通过研磨机将晶圆从背面研磨减薄至设定尺寸厚度，再对晶圆背面进行等离子蚀刻直至晶圆背面的表面光洁；

b.将晶圆背面用丙酮冲洗干净，再用气枪清除晶圆背面的残余丙酮；

c.通过激光打孔机在晶圆背面按设计要求进行激光打孔，在晶圆背面按设计要求形成若干微孔(3)，该微孔将晶圆正面部分的可导通处外露于晶圆背面形成若干导通点(2)；

d.对晶圆背面按设计要求进行电镀形成与导通点数量对应的金属线(4)，该金属线连通导通点和晶圆背面需植焊球的地方；

e.按设计要求在晶圆背面需植焊球的地方植焊球(5)；

f.将晶圆沿切割线(7)切割成单颗封装好的器件(8)。

2.根据权利要求1所述的晶圆级芯片尺寸封装方法，其特征在于：所述激光打孔采用的是紫外激光打孔技术，其激光波长为1064nm，离子分凝系数为0.6～1.1at.％。

3.根据权利要求1所述的晶圆级芯片尺寸封装方法，其特征在于：所述微孔为孔径小于等于50μm的孔。