[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明的名称为半导体器件及其制造方法，半导体器件包括具有距离等于或小于晶体管的长度L的深处的沟槽，并且在沟槽底部中使用埋层，由此，使从高浓度源扩散层的下端和高浓度漏扩散层的下端的每个到沟槽底面的有效沟道长度比沟槽顶面上的最短长度L要短。相应地，电流通路从通过使用埋层与源或高浓度漏扩散层接触的侧面保持在沟槽底面，由此增强驱动性能。对于减小的栅极长度获得抑制驱动性能降低的效果。

主权项

1. 一种半导体器件，包括：第一导电类型半导体衬底；第二导电类型埋层，在所述第一导电类型半导体衬底上的预定区域中形成；第一导电类型外延生长层，在所述第二导电类型埋层和所述第一导电类型半导体衬底上形成；沟槽，在第一导电类型外延生长层中形成、在待形成的晶体管的栅极宽度方向上并排设置并且具有达到所述第二导电类型埋层的底部；栅电极，借助栅绝缘膜在所述沟槽的每个的顶面内部和之上以及在与所述沟槽的每个相邻的所述第一导电类型外延生长层的表面之上形成；第二导电类型高浓度源扩散层，在所述栅电极的一侧上形成；以及第二导电类型高浓度漏扩散层，在所述栅电极的另一侧上形成。