[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一导电类型半导体衬底；

第二导电类型埋层，在所述第一导电类型半导体衬底上的预定区 域中形成；

第一导电类型外延生长层，在所述第二导电类型埋层和所述第一 导电类型半导体衬底上形成；

沟槽，在第一导电类型外延生长层中形成、在待形成的晶体管的 栅极宽度方向上并排设置并且具有达到所述第二导电类型埋层的底 部；

栅电极，借助栅绝缘膜在所述沟槽的每个沟槽的顶面之上和内部 以及在所述沟槽的相邻沟槽之间的所述第一导电类型外延生长层的 表面之上形成；

第二导电类型高浓度源扩散层，仅在所述栅电极和每个沟槽的一 侧上形成；以及

第二导电类型高浓度漏扩散层，仅在所述栅电极和每个沟槽的另 一侧上形成，

其中，从所述高浓度源扩散层的下端和所述高浓度漏扩散层的下 端中的每一个到所述第二导电类型埋层的距离等于或小于栅极长度。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述沟槽的每个沟 槽具有等于或小于待形成的所述晶体管的栅极长度的深度。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其中，所述沟槽的每个沟 槽向所述第二导电类型埋层的侧面的一端内部放置。

4.如权利要求2所述的半导体器件，其中，所述沟槽的每个沟 槽将侧面的一端放置在与所述第二导电类型埋层的侧面的一端相同 的平面上。

5.如权利要求2所述的半导体器件，其中，在其中从所述第二 导电类型高浓度源扩散层的下端和所述第二导电类型高浓度漏扩散 层的下端之一到所述第二导电类型埋层的距离小于待形成的所述晶 体管的栅极长度的情况下，所述沟槽的每个沟槽向所述第二导电类型 埋层的侧面的一端外部放置。

6.如权利要求1至5中的任一项所述的半导体器件，其中，所 述第二导电类型埋层的浓度范围从1×10¹⁸原子/立方厘米至1×10²¹原子/立方厘米。

7.一种制造半导体器件的方法，包括：

在第一导电类型半导体衬底上的预定区域中形成第二导电类型 埋层；

在所述第二导电类型埋层和所述第一导电类型半导体衬底上形 成第一导电类型外延生长层；

在所述第一导电类型外延生长层中形成沟槽，所述沟槽在待形成 的晶体管的栅极宽度方向上并排设置，使得所述沟槽的每个沟槽的底 部达到所述第二导电类型埋层；

形成栅绝缘膜；

借助所述栅绝缘膜在所述沟槽的每个沟槽的顶面之上和内部以 及在所述沟槽的相邻沟槽之间的所述第一导电类型外延生长层的表 面之上形成栅电极；以及

仅在所述栅电极和每个沟槽的一侧上形成第二导电类型高浓度 源扩散层以及仅在所述栅电极和每个沟槽的另一侧上形成第二导电 类型高浓度漏扩散层，

其中，从所述高浓度源扩散层的下端和所述高浓度漏扩散层的下 端中的每一个到所述第二导电类型埋层的距离等于或小于栅极长度。