[发明专利]非易失性存储装置的编程方法有效
| 申请号： | 200910006998.5 | 申请日： | 2009-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN101587750A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 朴成济 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨林森;康建峰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种非易失性存储装置的编程方法，该方法可以通过防止编程不足检验电压的下降来解决编程不足问题，并对操作进行检验。根据本发明的一方面，对所选择的存储单元块进行编程操作。对充电给包括在未选择的存储单元块中的存储单元串的沟道的电荷进行放电。对所选择的存储单元块进行检验操作。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 装置 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种对非易失性存储装置进行编程的方法，所述方法包括：对选择的存储单元块执行编程操作；对来自包括在未选择的存储单元块中的存储单元串的沟道的电荷进行放电；以及对所述选择的存储单元块执行检验操作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司，未经海力士半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910006998.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
