[发明专利]非易失性存储装置的编程方法有效

专利信息
申请号: 200910006998.5 申请日: 2009-02-23
公开(公告)号: CN101587750A 公开(公告)日: 2009-11-25
发明(设计)人: 朴成济 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: G11C16/10 分类号: G11C16/10
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 杨林森;康建峰
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 非易失性 存储 装置 编程 方法
【权利要求书】:

1.一种对非易失性存储装置进行编程的方法,所述方法包括:

对选择的存储单元块执行编程操作;

对来自包括在未选择的存储单元块中的存储单元串的沟道的电荷进 行放电;以及

对所述选择的存储单元块执行检验操作,

其中所述放电包括

使连接至所述未选择的存储单元块的局部高电压开关单元导通,

将公共源极线和可变电压输入端子接地,以及

将通过全局字线传送的通过电压施加给包括在所述未选择的存储单 元块中的漏极选择晶体管和源极选择晶体管的栅极。

2.根据权利要求1所述的编程方法,其中所述执行编程操作包括将 电源电压施加给公共源极线和可变电压输入端子,并将通过全局字线传送 的编程电压和通过电压传送至所述选择的存储单元块。

3.根据权利要求1所述的编程方法,其中所述执行检验操作包括阻 止所述未选择的存储单元块和全局字线的连接并将检验电压施加给所述 选择的存储单元块。

4.一种对非易失性存储装置进行编程的方法,所述方法包括:

对选择的存储单元块执行编程操作;

对来自包括在未选择的存储单元块中的存储单元串的沟道的电荷进 行放电;以及

对所述选择的存储单元块执行检验操作,

其中所述放电包括

将所述未选择的存储单元块连接至全局字线,

将公共源极线和可变电压输入端子接地,以及

通过全局字线将通过电压施加给包括在所述未选择的存储单元块中 的漏极选择晶体管和源极选择晶体管的栅极。

5.根据权利要求4所述的编程方法,其中所述执行编程操作包括将 电源电压施加给公共源极线和可变电压输入端子,并将通过全局字线传送 的编程电压和通过电压传送至所述选择的存储单元块。

6.根据权利要求4所述的编程方法,其中所述执行检验操作包括阻 止所述未选择的存储单元块和全局字线的连接并将检验电压施加给所述 选择的存储单元块。

7.一种对非易失性存储装置进行编程的方法,所述方法包括:

对选择的存储单元块执行编程操作;

连接未选择的存储单元块和全局字线;

将公共源极线和可变电压输入端子接地;以及

对来自包括在所述未选择的存储单元块中的存储单元串的沟道的电 荷进行放电,

其中对来自所述存储单元串的沟道的电荷进行放电包括:通过全局字 线将通过电压施加给包括在所述未选择的存储单元块中的漏极选择晶体 管和源极选择晶体管的栅极。

8.根据权利要求7所述的编程方法,还包括对所述选择的存储单元 块执行检验操作。

9.一种对非易失性存储装置进行编程的方法,所述方法包括:

对选择的存储单元块执行编程操作;

连接未选择的存储单元块和全局字线;

将公共源极线和可变电压输入端子接地;以及

对来自包括在所述未选择的存储单元块中的存储单元串的沟道的电 荷进行放电,

其中对来自所述存储单元串的沟道的电荷进行放电包括:导通包括在 所述未选择的存储单元块中的漏极选择晶体管和源极选择晶体管。

10.根据权利要求9所述的编程方法,还包括对所述选择的存储单元 块执行检验操作。

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