[发明专利]非易失性存储装置的编程方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2008年5月20日提交的韩国专利申请第 10-2008-0046603号的优先权，其全部内容通过引用结合于本申请中。

技术领域

本发明涉及对非易失性存储装置进行编程的方法。

背景技术

近年来，对可以被电编程和电擦除并且不需要以特定间隔改写数据的 刷新功能的非易失性存储装置的需求日益增加。

非易失性存储单元是能够进行电编程/擦除操作的元件，并且被配置 为通过当电子由施加给薄氧化层的强电场所迁移时改变存储单元的阈值 电压、来进行编程和擦除操作。

非易失性存储装置一般包括存储单元阵列，其中，用于存储数据的单 元被排列成矩阵形式，并包括页缓冲区，用于将存储器写入存储单元阵列 的特定单元中、或读取存储在特定单元中的存储器。页缓冲区包括连接至 特定存储单元的位线对和寄存器，该寄存器用于暂时存储要被写入存储单 元阵列中的数据，或从存储单元阵列读取特定单元的数据并将读取的数据 暂时存储在其中。页缓冲区还包括传感节点，用于对特定位线或特定寄存 器的电压电平进行感测，和位线选择单元，用于控制是否将特定位线连接 至传感节点。

在这种非易失性存储装置的编程和检验操作中，因为由未进行编程操 作的存储单元块生成了漏电流，所以产生问题。因此，出现编程不足(under program)现象，在该现象中，施加给已进行了检验操作的存储单元块的 检验电压的电平被降低，因此，目标编程单元的阈值电压被降低。

发明内容

本发明的目的在于一种对非易失性存储装置进行编程的方法，该方法 可以通过防止编程中检验电压的下降来解决编程不足问题，并且可以对操 作进行检验。

根据本发明的一方面的一种对非易失性存储装置进行编程的方法包 括：对选择的存储单元块执行编程操作，对来自包括在未选择的存储单元 块中的存储单元串的沟道的电荷进行放电，以及对所选择的存储单元块执 行检验或验证操作。

根据本发明的另一方面的一种非易失性存储装置的编程方法包括：对 所选择的存储单元块执行编程操作，连接未选择的存储单元块和全局字 线，将公共源极线和可变电压输入端子接地，以及对充电给包括在未选择 的存储单元块中的存储单元串的沟道的电荷进行放电。

附图说明

图1是示出了典型的非易失性存储装置的存储单元块的配置的图；

图2A和2B是示出了当在典型的非易失性存储装置中进行编程和检 验操作时，在未选择的存储单元块中生成漏电流的现象的视图；

图3表示示出了在典型的非易失性存储装置的编程和检验操作中施 加给未选择的存储单元块的电压的波形；

图4表示示出了在根据本发明的实施例的非易失性存储装置的编程 和检验操作中施加给未选择的存储单元块的电压；

图5是示出了根据本发明的实施例、对非易失性存储装置进行编程的 方法的流程图。

具体实施方式

下面将参照附图来说明根据本发明的具体实施例。然而本发明不限于 所公开的实施例，而是可以以各种方法来实施。提供实施例来完成本发明 的公开并使得本领域的普通技术人员理解本发明的范围。本发明由权利要 求书来限定。

图1是示出了典型的非易失性存储装置的存储单元块的配置的图。

非易失性存储装置100包括存储单元块140、142、144和146，用于 生成和传送例如编程电压、通过电压(pass voltage)、读取/检验电压和擦 除电压的高电压的高电压发生器110，用于将从高电压发生器110接收到 的各种高电压传送至全局字线GWL的全局高电压开关单元120，以及用 于将通过全局字线GWL接收到的各种高电压选择性地通过局部字线 LWL而传送至各存储单元块的局部高电压开关单元130、132、134和136。

高电压发生器110包括用于生成高电压的泵电路(未示出)和用于将从 该泵电路输出的高电压调节至特定电平的调节电路(未示出)。这样，高电 压发生器110可以生成在编程操作、擦除操作和读取/检验操作中使用的 各种高电压。

全局高电压开关单元120连接在高电压发生器110和全局字线GWL 之间，并包括开关元件N120，该开关元件响应于控制信号SEL而接通。 因此，当施加了控制信号SEL时，高电压被施加给全局字线GWL。