[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200910004862.0 | 申请日： | 2009-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN101494172A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 松下大介;三谷祐一郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/314;H01L29/788;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种在具有难以生成缺陷且高品质的绝缘膜的同时，可以降低漏电流的半导体装置及其制造方法。所述半导体装置的制造方法包括：在绝缘层上形成非晶硅层的步骤；在非晶硅层中导入氧的步骤；以及氮化导入了氧的非晶硅层，并形成硅氧氮化层的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：在绝缘层上形成非晶硅层的步骤；在所述非晶硅层中导入氧的步骤；以及氮化导入了氧的所述非晶硅层，以形成硅氧氮化层的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
