[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

在绝缘层上形成非晶硅层的步骤；

在所述非晶硅层中导入氧的步骤；以及

氮化导入了氧的所述非晶硅层，形成平均氧浓度大于等于10at.％且小于等于30at.％的硅氧氮化层，且使上述绝缘层的平均氮浓度大于0at.％且小于等于10at.％的步骤。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述绝缘层是第一硅氧化层。

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

在所述第一硅氧化层上形成所述非晶硅层之前，氮化所述第一硅氧化层的表面的步骤。

4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在氮化所述第一硅氧化层的表面之前，将Ge导入所述第一硅氧化层中。

5.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述硅氧氮化层上形成第二硅氧化层，并形成所述第一硅氧化层、所述硅氧氮化层、所述第二硅氧化层的三层结构。

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在形成所述第一硅氧化层、所述硅氧氮化层、所述第二硅氧化层的三层结构之后，在大于等于900℃且小于等于950℃的氧化性气氛中放置大于等于10分钟，以进行氧化。

7.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述非晶硅层中导入氧的步骤是以大于等于700℃且小于等于800℃的温度、以及小于等于10秒的时间的条件，将所述非晶硅层放置在氧化性气体的气氛中，以进行氧化的步骤。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述氧化性气体是O₂、NO、N₂O、O₃、O基、或O等离子体。

9.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，氮化导入了氧的所述非晶硅层并形成所述硅氧氮化层的步骤是在大于等于600℃且小于等于750℃的温度条件下氮化所述非晶硅层。

10.一种半导体装置，其特征在于，包括绝缘膜，该绝缘膜具有：

第一硅氧化层，形成在硅衬底上，平均氮浓度大于0at.％且小于等于10at.％；

硅氧氮化层，形成在所述第一硅氧化层上，平均氧浓度为大于等于10at.％且小于等于30at.％；以及

第二硅氧化层，形成在所述硅氧氮化层上。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，所述第一硅氧化层中含有Ge。