[发明专利]内埋芯片封装的结构及工艺

摘要

一种内埋芯片封装的工艺如下所述。首先，提供一金属核心层，其具有一第一表面、相对于第一表面的一第二表面、连通第一表面与第二表面的一开口与多个贯孔。接着，将一芯片配置于开口中。然后，形成一介电层于开口与这些贯孔中，以将芯片固定于开口中。之后，分别形成多个导电通道于这些贯孔中，且这些导电通道由介电层的位于这些贯孔内的部分与金属核心层隔绝。接着，以增层法形成一线路结构于金属核心层的第一表面上，且线路结构与芯片以及这些导电通道电性连接。

主权项

一种内埋芯片封装的工艺，其特征在于，包括：提供金属核心层，其具有第一表面、相对于所述第一表面的第二表面、连通所述第一表面与所述第二表面的开口与多个第一贯孔；将芯片配置于所述开口中；形成介电层于所述开口与所述第一贯孔中，以将所述芯片固定于所述开口中；分别形成多个导电通道于所述第一贯孔中，且所述导电通道由位于所述第一贯孔内的所述介电层与所述金属核心层隔绝；以及以增层法形成第一线路结构于所述金属核心层的所述第一表面上，且所述第一线路结构与所述芯片以及所述导电通道电性连接。