[发明专利]内埋芯片封装的结构及工艺

权利要求书

1.一种制造内埋芯片封装的工艺，其特征在于，包括：

提供金属核心层，其具有第一表面、相对于所述第一表面的第二表面、 连通所述第一表面与所述第二表面的开口与多个第一贯孔；

将芯片配置于所述开口中；

形成介电层于所述开口与所述第一贯孔中，以将所述芯片固定于所述 开口中；

分别形成多个导电通道于所述第一贯孔中，且所述导电通道由位于所 述第一贯孔内的所述介电层与所述金属核心层隔绝；以及

以增层法形成第一线路结构于所述金属核心层的所述第一表面上，且 所述第一线路结构与所述芯片以及所述导电通道电性连接。

2.如权利要求1所述的制造内埋芯片封装的工艺，其特征在于，还包 括：

在形成所述导电通道之后，以增层法形成第二线路结构于所述金属核 心层的所述第二表面上，且所述第二线路结构与所述导电通道电性连接。

3.如权利要求2所述的制造内埋芯片封装的工艺，其特征在于，还包 括：

在形成所述第二线路结构之后，形成多个焊球于所述第一或所述第二 线路结构上，且所述焊球与所述第一或所述第二线路结构电性连接。

4.如权利要求1所述的制造内埋芯片封装的工艺，其特征在于，还包 括：

在形成所述介电层之后，研磨所述介电层，以使所述介电层仅位于所 述开口与所述第一贯孔中。

5.如权利要求1所述的制造内埋芯片封装的工艺，其特征在于，还包 括：

在形成所述导电通道之前，分别形成多个第二贯孔于所述第一贯孔中 的所述介电层，且所述第二贯孔的孔径小于所述第一贯孔的孔径；

形成种子层于所述第二贯孔的内壁上；以及

在形成所述导电通道时，所述导电通道分别电镀在位于所述第二贯孔 内的所述种子层上。

6.如权利要求5所述的制造内埋芯片封装的工艺，其特征在于，还包 括：

在形成所述导电通道之前，形成所述种子层具有位于所述第一表面与 所述第二表面上的部分；

形成图案化阻镀层，以覆盖位于所述第一表面与所述第二表面上的所 述种子层，且所述图案化阻镀层的多个开口分别暴露出所述第二贯孔；

在形成所述导电通道时，所述导电通道分别电镀在所述第二贯孔中； 以及

在形成所述导电通道之后，移除所述图案化阻镀层与所述种子层的未 被所述导电通道覆盖的部分。

7.如权利要求1所述的制造内埋芯片封装的工艺，其特征在于，还包 括：

在将所述芯片配置于所述开口中之前，贴附热离形材料至所述金属核 心层的所述第一表面，其中所述热离形材料覆盖所述第一贯孔与所述开 口；

在将所述芯片配置于所述开口中时，将所述芯片固定在所述热离形材 料上；以及

在形成所述介电层之后，移除所述热离形材料。

8.如权利要求7所述的制造内埋芯片封装的工艺，其特征在于，所述 芯片具有主动面与相对于所述主动面的背面，其中所述主动面朝向所述热 离形材料。

9.如权利要求8所述的制造内埋芯片封装的工艺，其特征在于，所述 芯片的所述主动面、所述介电层的表面以及所述金属核心层的所述第一表 面切齐。

10.一种内埋芯片封装结构，其特征在于，包括：

金属核心层，具有第一表面、相对于所述第一表面的第二表面、连通 所述第一表面与所述第二表面的开口与多个第一贯孔；

介电层，配置于所述第一贯孔与所述开口中；

芯片，内埋于所述介电层的位于所述开口内的部分中；

多个导电通道，分别配置于所述第一贯孔中，并由所述介电层的位于 所述第一贯孔内的部分与所述金属核心层隔绝；以及

第一线路结构，配置于所述金属核心层的所述第一表面上，并与所述 芯片及所述导电通道电性连接。