[发明专利]电荷俘获型非易失性存储器件及其制造方法

摘要

一种电荷俘获型非易失性存储器件及其制造方法，所述方法包括：在衬底上形成隧道绝缘层、电荷俘获层、介电层和用于栅电极的导电层；通过选择性地蚀刻用于栅电极的导电层来形成栅电极；在栅电极侧壁上形成包括第一间隔物和第二间隔物的间隔物，第二间隔物由与第一间隔物不同的材料形成；和通过使用间隔物作为蚀刻阻挡层来蚀刻介电层和电荷俘获层，由此防止在蚀刻电荷俘获层时对栅电极的侵袭，并因此增加晶体管的可靠性和稳定性。此外，在一个或更多个实施方案中，垂直地形成电荷俘获层图案的侧壁，由此防止拖尾形成和对衬底的侵袭。

主权项

1.一种制造电荷俘获型非易失性存储器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成隧道绝缘层、电荷俘获层、介电层和用于栅电极的导电层；通过选择性地蚀刻所述导电层形成所述栅电极；在所述栅电极侧壁上形成包括第一间隔物和第二间隔物的间隔物，所述第二间隔物由与所述第一间隔物的材料不同的材料形成；和通过使用所述间隔物作为蚀刻阻挡层，蚀刻所述介电层和所述电荷俘获层。