[发明专利]电荷俘获型非易失性存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造电荷俘获型非易失性存储器件的方法，所述方法包括：

在衬底上形成隧道绝缘层、电荷俘获层、介电层和用于栅电极的导电层；

通过选择性地蚀刻所述导电层形成所述栅电极；

在所述栅电极侧壁上形成包括第一间隔物和第二间隔物的间隔物，所述第二间隔物由与所述第一间隔物的材料不同的材料形成；和

通过使用所述间隔物作为蚀刻阻挡层，蚀刻所述介电层和所述电荷俘获层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述间隔物的形成包括：

在其中形成有所述栅电极的结构上形成用于所述第一间隔物的绝缘层；

在用于所述第一间隔物的绝缘层上形成用于所述第二间隔物的绝缘层；和

通过对用于所述第一间隔物和所述第二间隔物的绝缘层进行间隔物形成蚀刻，在所述栅电极的所述侧壁上形成间隔物。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一间隔物由氧化物层形成，所述第二间隔物由氮化物层形成。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述间隔物还包括：与所述第二间隔物外壁接触并由与所述第二间隔物的材料不同的材料所形成的第三间隔物。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述间隔物通过以下步骤形成：

在其中形成有所述栅电极的结构上形成用于所述第一间隔物的绝缘层；

在用于所述第一间隔物的绝缘层上形成用于所述第二间隔物的绝缘层；

在用于所述第二间隔物的绝缘层上形成用于所述第三间隔物的绝缘层；和

通过对用于所述第三间隔物、第二间隔物和第一间隔物的所述绝缘层进行间隔物形成蚀刻，在所述栅电极的所述侧壁上形成间隔物。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述第一间隔物由氧化物层形成，所述第二间隔物由氮化物层形成，所述第三间隔物由氧化物层形成。

7.根据权利要求5所述的方法，其中所述第一间隔物由氮化物层形成，所述第二间隔物由氧化物层形成，所述第三间隔物由氮化物层形成。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述电荷俘获层由氮化物层形成。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述隧道绝缘层由氧化物层形成。

10.根据权利要求8所述的方法，其中在所述氮化物和所述氧化物之间的蚀刻选择比高于某一阈值的条件下，实施所述电荷俘获层的蚀刻。

11.根据权利要求10所述的方法，其中通过使用选自由CH₂F₂气体和CH₃F气体组成的组中的气体，实施所述电荷俘获层的蚀刻。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述介电层由金属氧化物形成。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述介电层由选自Al₂O₃、HfO₂、ZrO₂、Y₂O₃、La₂O₃以及它们的组合中的化合物形成。

14.根据权利要求1所述的方法，其中用于栅电极的所述导电层由选自WSi_x、CoSi_x、NiSi_x、多晶硅、TaN、TiN以及它们的组合中的化合物形成。

15.一种电荷俘获型非易失性存储器件，包括：

衬底；

在所述衬底上形成的隧道绝缘层、电荷俘获层、介电层和用于栅电极的导电层；和

在所述栅电极侧壁上的包括第一间隔物和第二间隔物的间隔物，所述第二间隔物由与所述第一间隔物的材料不同的材料形成。

16.根据权利要求15所述的电荷俘获型非易失性存储器件，其中所述间隔物包括：

在其中形成有所述栅电极的结构上的用于所述第一间隔物的绝缘层；

在用于所述第一间隔物的绝缘层上的用于所述第二间隔物的绝缘层；和

在所述栅电极的所述侧壁上的间隔物。

17.根据权利要求16所述的电荷俘获型非易失性存储器件，其中所述第一间隔物由氧化物层形成，所述第二间隔物由氮化物层形成。