[发明专利]半导体发光元件阵列和其制造方法无效
| 申请号： | 200880131591.9 | 申请日： | 2008-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN102187477A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 比留间健之;原真二郎;本久顺一;福井孝志 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人北海道大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于使用MOVPE选择生长法在同一个基片上制造具有多个波长的半导体面发光元件。具体而言，提供一种半导体发光元件阵列，其包括：半导体结晶基片；配置在所述半导体结晶基片的表面的绝缘膜，其中所述绝缘膜被划分为2个以上的区域，并且在所述2个以上的区域的每个区域中分别形成有使所述基片的表面露出的2个以上的开口部；从所述基片的表面通过所述开口部向上方延伸的半导体棒，其在所述延伸方向上层叠n型半导体层和p型半导体层，具有p-n结；和与所述半导体结晶基片连接的第一电极，以及与所述半导体棒的上部连接的第二电极，所述半导体棒自所述基片表面的高度，按所述2个以上的区域的每个区域而不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光元件阵列，其特征在于，包括：半导体结晶基片；配置在所述半导体结晶基片的表面的绝缘膜，其中所述绝缘膜被划分为2个以上的区域，并且在所述2个以上的区域的每个区域中分别形成有使所述基片的表面露出的2个以上的开口部；从所述基片的表面通过所述开口部向上方延伸的半导体棒，其在所述延伸方向上层叠n型半导体层和p型半导体层，具有p‑n结；和与所述半导体结晶基片连接的第一电极，以及与所述半导体棒的上部连接的第二电极，所述半导体棒自所述基片表面的高度，按所述2个以上的区域的每个区域而不同。
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