[发明专利]半导体发光元件阵列和其制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光元件阵列，其特征在于，包括：

半导体结晶基片；

配置在所述半导体结晶基片的表面的绝缘膜，其中

所述绝缘膜被划分为2个以上的区域，并且

在所述2个以上的区域的每个区域中分别形成有使所述基片的表面露出的2个以上的开口部；

从所述基片的表面通过所述开口部向上方延伸的半导体棒，其在所述延伸方向上层叠n型半导体层和p型半导体层，具有p-n结；和

与所述半导体结晶基片连接的第一电极，以及与所述半导体棒的上部连接的第二电极，

所述半导体棒自所述基片表面的高度，按所述2个以上的区域的每个区域而不同。

2.如权利要求1所述的半导体发光元件阵列，其特征在于：

所述半导体棒，具有p-n异质结。

3.如权利要求1所述的半导体发光元件阵列，其特征在于：

所述半导体棒具有量子阱结构。

4.如权利要求1所述的半导体发光元件阵列，其特征在于：

所述开口部的面积的平均值按所述2个以上的区域的每个区域而不同。

5.如权利要求1所述的半导体发光元件阵列，其特征在于：

所述开口部的中心间距离的平均值按所述2个以上的区域的每个区域而不同。

6.如权利要求1所述的半导体发光元件阵列，其特征在于：

所述半导体结晶基片，是从GaAs、InP、Si、InAs、GaN、SiC和Al₂O₃形成的组中选择的半导体材料的结晶基片，并且

配置有所述绝缘膜的基片的表面，是结晶轴(111)面。

7.如权利要求1所述的半导体发光元件阵列，其特征在于：

所述半导体棒，通过有机金属气相生长法或者分子线外延法形成。

8.如权利要求1所述的半导体发光元件阵列，其特征在于：

所述第一电极是n电极，并且

所述第二电极是p电极且为透明电极。

9.如权利要求1所述的半导体发光元件阵列，其特征在于：

所述第一电极是p电极，并且

所述第二电极是n电极且为透明电极。

10.一种半导体发光元件阵列的制造方法，其是权利要求1所述的半导体发光元件阵列的制造方法，其特征在于，包括：

A)准备结晶轴(111)面被绝缘膜覆盖的半导体结晶基片的步骤，其中

所述绝缘膜被划分为2个以上的区域，

在所述2个以上的区域的每个区域中，分别形成使所述结晶轴(111)面露出的2个以上开口部；和

B)用有机金属气相生长法或分子线外延法，从被所述绝缘膜覆盖的半导体结晶基片通过所述开口部形成半导体棒的步骤，其包括形成n型半导体构成的层的工序和形成p型半导体构成的层的工序。

11.一种光发送设备，其特征在于，包括：

权利要求1所述的半导体发光元件阵列；和

配置在所述2个以上的区域的每个区域中，从各区域的半导体棒发出的光所入射的光波导路。

12.一种光发送设备，其特征在于，包括：

权利要求1所述的半导体发光元件阵列；和

从所述2个以上的区域的半导体棒发出的光所入射的光波导路。

13.一种光发送设备，其特征在于，包括：

权利要求1所述的半导体发光元件阵列；

对从所述2个以上的区域的半导体棒发出的光进行合波的光合波器；和

由所述合波器合波后的光所入射的光波导路。

14.一种照明设备，其特征在于，包括：

权利要求1所述的半导体发光元件阵列；和

从所述2个以上的区域的半导体棒发出的光所入射的光波导路。

15.一种照明设备，其特征在于，包括：

权利要求1所述的半导体发光元件阵列；

对从所述2个以上的区域的半导体棒发出的光进行合波的光合波器；和

由所述合波器合波后的光所入射的光波导路。