[发明专利]氧化条件下二氧化硅的疏水化

摘要

本发明提供用通式为R2SiO2-和RSiO3-的基团改性的二氧化硅，其中，R为单价的、如果合适为单不饱和或多不饱和的、如果合适为分支的、具有1至24个碳原子的烃部分，其中，含T1-、T2-和T3-基团的T基团的相对分数，作为二氧化硅全部有机硅中的比例，大于0.1％，其中，T1-基团的相对分数(FT1＝IT1/(IT1+IT2+IT3))小于10％，而T2基团的相对分数(FT2＝IT2/(IT1+IT2+IT3))大于5％。

主权项

1.一种采用通式为(I)和(II)的基团改性的二氧化硅R₂SiO₂-(I)RSiO₃-(II)其中R为单价的、可选地单不饱和或多不饱和的、可选分支的具有1至24个C原子的烃基，基于所述二氧化硅的全部有机硅基团，包括T¹、T²和T³基团的T基团的相对比例大于0.1％，T¹基团的相对比例(F_T1＝I_T1/(I_T1+I_T2+I_T3))小于10％，而T²基团的相对比例(F_T2＝I_T2/(I_T1+I_T2+I_T3))大于5％。