[发明专利]氧化条件下二氧化硅的疏水化

权利要求书

1.一种采用通式为(I)和(II)的基团改性的二氧化硅

R₂SiO₂-             (I)

RSiO₃-              (II)

其中

R为单价的、可选地单不饱和或多不饱和的、可选分支的具有1至24个C原子的烃基，

基于所述二氧化硅的全部有机硅基团，包括T¹、T²和T³基团的T基团的相对比例大于0.1％，T¹基团的相对比例(F_T1＝I_T1/(I_T1+I_T2+I_T3))小于10％，而T²基团的相对比例(F_T2＝I_T2/(I_T1+I_T2+I_T3))大于5％。

2.根据权利要求1所述的二氧化硅，其特征在于，基团R为烷基基团，如甲基、乙基、丙基、己基如正己基或异己基、辛基如正辛基或异辛基、正十二烷基、正十六烷基或正十八烷基。

3.根据权利要求1或2所述的二氧化硅，其特征在于，在所述二氧化硅的表面上存在二甲基硅二氧基(CH₃)₂Si(O-)₂和甲基硅三氧基CH₃Si(O-)₃。

4.根据权利要求1-3中一项或多项所述的二氧化硅，其特征在于，基于所述二氧化硅的全部有机硅基团，包括T¹、T²和T³基团的T基团的相对比例为0.1％至30％。

5.根据权利要求1-4中一项或多项所述的二氧化硅，其特征在于，T¹基团的比例(F_T1＝I_T1/(I_T1+I_T2+I_T3))小于5％。

6.根据权利要求1-5中一项或多项所述的二氧化硅，其特征在于，T²基团的相对比例(F_T2＝I_T2/(I_T1+I_T2+I_T3))为5％至75％。

7.一种用于制备采用通式(I)和(II)的基团改性的二氧化硅的方法，亲水二氧化硅用通式III的硅烷，

R₂SiX₂             (III)

其中X为卤素、OH或OR，且R具有以上提及的含义，

或用通式(IV)的硅氧烷

(R_aSiX_b(O-)_1/2)(Si(R)₂(O-)_2/2)_n(-O)_1/2X_bSiR_a)

其中X和R具有以上提及的含义，且

a为2或3，

b为0或1，条件是a+b＝3，

n为1至10⁴，所使用的聚硅氧烷的粘度大于0.5mpa·s，

或用通式(III)的硅烷和/或通式(IV)的硅氧烷的任何所需混合物，

条件是改性在低于400℃于氧化条件下进行。

8.应用权利要求1-7中一项或多项所述的二氧化硅的方法，其特征在于，所述二氧化硅用于控制涂料、粘结剂或密封剂的流动特性。

9.应用权利要求1-7中一项或多项所述的二氧化硅的方法，其特征在于，所述二氧化硅用于改善催化交联的涂料、粘结剂和密封剂的储存稳定性。