[发明专利]用于CMOS成像像素检测器的紧凑且精确的模拟存储器无效

专利信息
申请号: 200880117824.X 申请日: 2008-11-26
公开(公告)号: CN101874273A 公开(公告)日: 2010-10-27
发明(设计)人: 维塔利·苏什科夫 申请(专利权)人: NXP股份有限公司
主分类号: G11C27/02 分类号: G11C27/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王波波
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 发明涉及一种模拟存储器电路,即,采样和保持电路,其中,使用晶体管电路使开关晶体管的源极和栅极在采样过程之前和之后保持在相同的电位。模拟存储器电路包括存储电容器(102),存储电容器(102)的第一端连接至第一端口(104),第一端口连接基准电位(106)。第一晶体管(108)(开关晶体管)的漏极连接至存储电容器(102)的第二端。第一晶体管(108)的源极连接至第二端口(110),第二端口(110)连接至用于提供输入信号以存储在存储电容器(102)中的电路(112),第一晶体管(108)的栅极连接至第三端口(114),第三端口(114)连接至第一电流宿(116)。第二晶体管(118)的源极连接至第一晶体管(108)的源极,第二晶体管(118)的漏极连接至第一晶体管(108)的栅极。第一晶体管(108)的源极连接至第三晶体管(120)的源极。第三晶体管(120)的栅极和漏极一起连接至第二晶体管(118)的栅极和第四端口(122),第四端口(122)连接至第二电流宿(124)。根据本发明,馈通误差是恒定的,与输入信号电平无关。
搜索关键词: 用于 cmos 成像 像素 检测器 紧凑 精确 模拟 存储器
【主权项】:
一种模拟存储器电路,包括:存储电容器(102),存储电容器(102)的第一端连接至第一端口(104),第一端口(104)用于连接至基准电位(106);第一晶体管(108),第一晶体管(108)的漏极连接至存储电容器(102)的第二端,第一晶体管(108)的源极连接至第二端口(110),第二端口(110)用于连接至提供输入信号以存储在存储电容器(102)中的电路(112),第一晶体管(108)的栅极连接至第三端口(114),第三端口(114)用于连接至第一电流宿(116);第二晶体管(118),第二晶体管(118)的源极连接至第一晶体管(108)的源极,第二晶体管(118)的漏极连接至第一晶体管(108)的栅极;以及第三晶体管(120),第三晶体管(120)的源极连接至第一晶体管(108)的源极,第三晶体管(120)的栅极和漏极一起连接至第二晶体管(118)的栅极和第四端口(122),第四端口(122)用于连接至第二电流宿(124)。
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