[发明专利]半导体发光装置及半导体发光装置的制造方法无效
申请号: | 200880115867.4 | 申请日: | 2008-11-13 |
公开(公告)号: | CN101855735A | 公开(公告)日: | 2010-10-06 |
发明(设计)人: | 井手义行;龟井英德;米仓勇;小原邦彦;中原光一;中津浩二;远矢嘉郎;北园俊郎;前田俊秀;小屋贤一;白幡孝洋 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 来自半导体发光元件的光朝着各个方向行进。为此,无法有效地利用朝照明方向以外的方向行进的光。虽然提出了将半导体发光元件的侧面加工成倾斜面并在该侧面上形成反射层的解决方法,但由于是利用蚀刻等方法来形成倾斜面,因而存在加工费时、难于控制倾斜面的问题。为了解决该问题,本发明公开了一种半导体发光装置及半导体发光装置的制造方法。在次载具上设置半导体发光元件,用密封材密封后,进行在相邻的半导体发光元件之间形成槽的加工。通过向已形成的槽中填充反射材,研磨出光面并进行切割,便能够获得在侧面形成了反射层的半导体发光装置。 | ||
搜索关键词: | 半导体 发光 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体发光装置,其特征在于:具有:半导体发光元件,次载具,载着所述半导体发光元件,密封材,在所述次载具上对所述半导体发光元件进行密封,以及反射层,在将所述密封材的出光面作为上表面时设置在该密封材的侧面。
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