[发明专利]半导体发光装置及半导体发光装置的制造方法无效

专利信息
申请号: 200880115867.4 申请日: 2008-11-13
公开(公告)号: CN101855735A 公开(公告)日: 2010-10-06
发明(设计)人: 井手义行;龟井英德;米仓勇;小原邦彦;中原光一;中津浩二;远矢嘉郎;北园俊郎;前田俊秀;小屋贤一;白幡孝洋 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 发光 装置 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种为有效地利用从半导体发光元件的侧面射出的光,在密封材的侧面设置了反射层的半导体发光元件及使用了该半导体发光元件的半导体发光装置。

背景技术

半导体发光元件从发光层射出光,该发光层是由夹着活性层的p型半导体及n型半导体形成的。为此,光会朝四面八方射出。不过,作为光源来说,大多希望光朝一个方向照射。在这种情况下,朝着与照射方向不同的方向行进的光就成为无用光。若考虑到光的有效利用,则优选使这些光朝半导体发光元件的出光面方向反射。

针对上述问题,提出了使半导体发光元件的侧面朝出光面方向倾斜的方法。例如,在专利文献1中,公开了具有在电极上经加工而倾斜且设置有反射层的侧面的半导体发光元件。该半导体发光元件是在发光层的两面形成有电极的元件。还有,为了提高来自发光层的光的取出效率,在后面的工序中利用激光剥离掉在形成发光层时使用的蓝宝石基板。

还有,在专利文献2中,公开了下述半导体发光元件,即:在透明基板的一面形成电极,为了不让发光层生成的光照射该电极,在成为出光面相反面的底面形成了具有倾斜角度的斜面。

这些是用蒸镀膜等金属薄膜构成反射层的示例。不过,为了用金属薄膜等构成反射层,而需要在真空室内进行处理,因此不能称之为适用于批量生产的方法。

作为其它的解决方案,存在下述方法,即:并不是在半导体发光元件本身的侧面设置反射层,而是在进一步包括引线框(lead frame)和密封材而构成的发光器件(下面称作“发光装置”)的侧面形成反射层,使来自侧面的光射向出光面。

作为这样的解决方案,在专利文献3中,公开了一种在密封半导体发光元件的密封树脂的侧面具有反射框的半导体发光元件。

图14是表示该半导体发光装置的剖视图。在引线框90上形成的半导体发光元件92经由接合线(bonding)94与另一引线框96电连接。并且,整个被树脂98密封起来,在其侧面设置了反射框100。通过成为这样的结构,而构成了半导体发光装置,使来自侧面的光反射,然后从出光面取出该反射光。

专利文献1:日本公开特许公报特开2006-128659号公报

专利文献2:日本公开特许公报特开平6-268252号公报

专利文献3:日本公开特许公报特开2005-26400号公报

-发明所要解决的技术问题-

如专利文献1和专利文献2所示,在半导体发光元件本身的侧面形成反射层的方法需要在真空室内进行成膜处理,因而未必能称其为适合批量生产的方法。

另一方面,专利文献3中的半导体发光装置仅经由在空气中进行的制造工序就能制作出来。不过,因为半导体发光元件本身的尺寸为数百μm到数mm左右,所以反射框的尺寸也就约为数mm。将这样大小的反射框安装到各个半导体发光元件上并不是一件容易的事情。

发明内容

本发明是为了解决上述问题而发明出来的,其目的在于:提供一种在密封材侧面的整个面上形成反射层,使发光效率提高的半导体发光装置及其制造方法。

-用以解决技术问题的技术方案-

为了解决上述问题,本发明提供了一种如下所示的半导体发光装置,该半导体发光装置具有:半导体发光元件、载有所述半导体发光元件的次载具(submount)、在所述次载具上密封所述半导体发光元件的密封材以及在将所述密封材的出光面作为上表面时设置在该密封材侧面的反射层。

还有,作为这种半导体发光装置的制造方法,提出了下述方法,即:该半导体发光装置的制造方法具有:在次载具用基板上固定多个半导体发光元件的工序、用密封材密封所述半导体发光元件的工序、向所述半导体发光元件之间填充反射材的工序、研磨所述密封材表面的工序以及在填充有所述反射材的部分将反射材及次载具用基板切断的工序。

-发明的效果-

本发明的半导体发光装置因为在密封材的侧面形成有反射层,所以从设置在密封材内的半导体发光元件射出的光由于在密封材和反射层之间的界面形成的反射面而进行反射。为此,从半导体发光装置的侧面射出的光减少,能够获得接近理想的面发光的特性。

还有,利用在空气中进行的制造工序就能够制作出本发明的半导体发光装置。而且,若在次载具用基板上装载好一个个半导体发光元件,便能够统一地对次载具用基板形成密封材和反射层,因而量产性提高。

附图说明

图1是表示本发明的半导体发光装置的结构的图。

图2是表示本发明的半导体发光装置的其它实施方式的结构的图。

图3是表示本发明的半导体发光元件的剖视图。

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