[发明专利]半导体发光装置及半导体发光装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光装置，其特征在于：

具有：

半导体发光元件，

次载具，载着所述半导体发光元件，

密封材，在所述次载具上对所述半导体发光元件进行密封，以及

反射层，在将所述密封材的出光面作为上表面时设置在该密封材的侧面。

2.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于：

所述密封材具有平坦的出光面。

3.根据权利要求2所述的半导体发光装置，其特征在于：

所述反射层具有与所述出光面齐平的面，而且与所述密封材和所述次载具都接触。

4.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于：

所述密封材和所述反射层的界面与所述次载具的表面大致垂直。

5.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于：

所述密封材和所述反射层的界面与所述次载具的表面成钝角。

6.根据权利要求2或3所述的半导体发光装置，其特征在于：

在所述出光面具有微小凹凸结构。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体发光装置，其特征在于：

在所述半导体发光元件的周围具有荧光体层。

8.一种半导体发光装置的制造方法，其特征在于：

包括：

在次载具用基板上固定多个半导体发光元件的工序，

用密封材密封所述半导体发光元件的工序，

向所述半导体发光元件之间填充反射材的工序，

研磨所述密封材的表面的工序，以及

在填充有所述反射材的部分，将反射材及次载具用基板切断的工序。

9.根据权利要求8所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于：

用所述密封材密封的工序是对设置在所述次载具用基板上的所述半导体发光元件一个个地进行密封的工序。

10.根据权利要求8所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于：

用所述密封材密封的工序是在所述次载具用基板上形成密封材的层的工序。

11.根据权利要求8至10中任一项所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于：

填充所述反射材的工序，包含：

在所述半导体发光元件之间形成到达所述次载具用基板的一部分的槽的工序，和

向所述槽填充反射材的工序。

12.根据权利要求11所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于：

所述槽是与所述次载具用基板的表面大致垂直地形成的。

13.根据权利要求11所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于：

所述槽是相对于所述次载具用基板的表面斜着形成的。

14.根据权利要求8至13中任一项所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于：

在研磨所述密封材表面的工序之后，具有形成微小凹凸结构的工序。

15.根据权利要求8至14中任一项所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于：

具有在所述半导体发光元件的周围形成荧光体层的工序。