[发明专利]将NVM电路与逻辑电路集成的方法有效
| 申请号： | 200880114023.8 | 申请日： | 2008-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN101842899A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | G·L·钦德洛 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;G11C17/18;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种用于使非易失性存储器(NVM)电路(18)与逻辑电路(20)集成的方法。该方法包括沉积将第一栅极材料层(16)沉积于基板(12)的NVM区域和逻辑区域之上。该方法还包括沉积包含相互覆盖的氮化物、氧化物及氮化物(ARC层)的多个邻接牺牲层(22、24、26)。使用多个邻接牺牲层(22、24、26)来图形化NVM区域中的存储器晶体管的选择栅极(16)及控制栅极(32)，而使用多个邻接牺牲层(22、24、26)的ARC层(22)来图形化逻辑区域(20)中的逻辑晶体管的栅极(16)。 | ||
| 搜索关键词： | nvm 电路 逻辑电路 集成 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：提供具有第一界定区域以及与第一界定区域电隔离的第二界定区域的基板；在所述第一界定区域和所述第二界定区域二者中提供覆盖于所述基板之上的第一栅极材料层；提供覆盖于所述第一栅极材料层之上的多个邻接牺牲层；使用所述多个邻接牺牲层来在所述第一界定区域中形成晶体管控制电极，其中所述邻接牺牲层中的至少一层没有被完全去除；使用所述邻接牺牲层中的至少一层来图形化在所述第二界定区域中的晶体管控制电极；以及完成在所述第一界定区域和所述第二界定区域二者中的晶体管形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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