[发明专利]将NVM电路与逻辑电路集成的方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

提供具有第一界定区域以及与第一界定区域电隔离的第二界定区域的基板；

在所述第一界定区域和所述第二界定区域二者中提供覆盖于所述基板之上的第一栅极材料层；

提供覆盖于所述第一栅极材料层之上的多个邻接牺牲层；

使用所述多个邻接牺牲层来在所述第一界定区域中形成晶体管控制电极，其中所述邻接牺牲层中的至少一层没有被完全去除；

使用所述邻接牺牲层中的至少一层来图形化在所述第二界定区域中的晶体管控制电极；以及

完成在所述第一界定区域和所述第二界定区域二者中的晶体管形成。

2.根据权利要求1的方法，其中所述邻接牺牲层中的所述至少一层直接邻接于所述第二界定区域中的所述晶体管控制电极。

3.根据权利要求1的方法，其中所述多个邻接牺牲层还包括覆盖于氧化物层之上的第一氮化物层，该氧化物层覆盖于第二氮化物层之上。

4.根据权利要求1的方法，其中所述第一界定区域包括用于实现非易失性存储器单元的非易失性存储器区域而所述第二界定区域包括用于实现执行逻辑功能的晶体管的逻辑区域。

5.根据权利要求1的方法，其中所述第一界定区域与所述第二界定区域电隔开与最小光刻限度对应的量。

6.根据权利要求1的方法，其中所述多个邻接牺牲层中的至少一层包括在化学机械抛光中使用的抛光终止层，所述多个邻接牺牲层中的至少一层包括在化学蚀刻中使用的蚀刻终止层，以及所述多个邻接牺牲层中的至少一层包括抗反射涂料ARC层。

7.根据权利要求1的方法，其中所述多个邻接牺牲层在对所述第一界定区域及所述第二界定区域处理完成后被完全去除，并且还包括：

覆盖于所述基板之上的抗反射涂料ARC层；

覆盖于所述抗反射涂料层之上的氧化物层；以及

覆盖于所述氧化物层之上的氮化物层。

8.一种形成包括在基板上形成的并由隔离区所隔开的第一区和第二区的集成电路的方法，该方法包括：

在所述第一区和所述第二区二者中形成覆盖于所述基板之上的第一栅电极材料层；

在将任意器件形成于所述第一区和所述第二区中之前于所述第一区和所述第二区二者中形成覆盖于所述第一栅电极材料层之上的多个牺牲层；

使用所述多个牺牲层来在所述第一区中形成第一类器件；以及

使用所述多个牺牲层中的至少一层来在所述第二区中形成第二类器件。

9.根据权利要求8的方法，还包括在形成与所述第二区中的所述第二类器件对应的栅电极之前将所述多个牺牲层从所述第一区中去除。

10.根据权利要求8的方法，其中用来形成所述第二类器件的所述多个牺牲层中的所述至少一层直接邻接于所述第一栅电极材料层。

11.根据权利要求8的方法，其中用来形成所述第二类器件的所述多个牺牲层中的所述至少一层是抗反射涂料ARC层。

12.根据权利要求11的方法，其中使用所述ARC层来图形化与在所述第二区中形成的所述第二类器件对应的栅电极。

13.根据权利要求8的方法，其中所述多个牺牲层包括用来图形化与在所述第二区中形成的所述第二类器件对应的栅电极的抗反射涂料ARC层，用来终止对在所述第一区和所述第二区二者中形成的多晶硅层的抛光的抛光终止层，以及用来终止对在所述第一区和所述第二区二者中的所述抛光终止层的蚀刻的蚀刻终止层。

14.根据权利要求8的方法，其中所述第一区是存储器区而所述第二区是逻辑区。

15.根据权利要求14的方法，其中所述第一类器件包括控制栅极和选择栅极并且其中所述第二类器件只包括一种栅极。