[发明专利]制造超结器件中的多个管芯的多向开槽无效
| 申请号： | 200880113873.6 | 申请日： | 2008-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101919059A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 石黑毅;休·J·格里芬;杉浦贤二 | 申请（专利权）人： | 艾斯莫斯技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 关兆辉;谢丽娜 |
| 地址： | 英国北*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 一种制造超结器件的方法，包括：提供具有多个管芯(320a、321a)的半导体晶片。在第一管芯(320a)中形成具有第一取向的第一多个沟槽(323a)。在第二管芯(321a)中形成具有第二取向的第二多个沟槽。第二取向不同于第一取向。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 器件 中的 管芯 多向 开槽 | ||
【主权项】：
一种制造超结器件的方法，所述方法包括：(a)提供半导体晶片，所述半导体晶片包括多个管芯；(b)在至少一个第一管芯中形成第一多个沟槽，所述第一多个沟槽中的每个都具有第一取向；以及(c)在至少一个第二管芯中形成第二多个沟槽，所述第二多个沟槽中的每个都具有与所述第一取向不同的第二取向。
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