[发明专利]制造超结器件中的多个管芯的多向开槽

权利要求书

1.一种制造超结器件的方法，所述方法包括：

(a)提供半导体晶片，所述半导体晶片包括多个管芯；

(b)在至少一个第一管芯中形成第一多个沟槽，所述第一多个沟槽中的每个都具有第一取向；以及

(c)在至少一个第二管芯中形成第二多个沟槽，所述第二多个沟槽中的每个都具有与所述第一取向不同的第二取向。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，包含所述第一多个沟槽的第一管芯的数目等于包含所述第二多个沟槽的第二管芯的数目。

3.根据权利要求2所述的方法，其中

(i)所述第一多个沟槽中的每个都具有长度尺寸，所述第一多个沟槽中的每个的长度尺寸都是相同的；以及

(ii)所述第二多个沟槽中的每个都具有长度尺寸，所述第二多个沟槽中的每个的长度尺寸都是相同的。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，依次执行步骤(a)-(c)。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，同时执行步骤(b)和(c)。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，在(a)-(c)中的每个步骤开始之前，基本上完成各个在前的步骤。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，在(a)-(c)中的每个步骤开始之前，完全完成各个在前的步骤。

8.一种超结器件，所述超结器件根据权利要求1所述的方法形成。

9.一种超结器件，包括：

(a)半导体晶片，所述半导体晶片包括多个管芯；

(b)第一多个沟槽，所述第一多个沟槽形成在第一多个管芯中，所述第一多个沟槽中的每个都具有第一取向；以及

(c)第二多个沟槽，所述第二多个沟槽形成在第二多个管芯中，所述第二多个沟槽中的每个都具有与所述第一取向不同的第二取向。

10.根据权利要求9所述的器件，其中，所述第一多个沟槽限定了第一面积，以及，所述第二多个沟槽限定了第二面积。

11.根据权利要求9所述的器件，其中，所述第一面积与所述第二面积的比是1∶1。

12.根据权利要求9所述的器件，其中

(i)所述第一多个沟槽中的每个都具有长度尺寸，所述第一多个沟槽中的每个的长度尺寸与所述第一多个沟槽的至少一个另外的沟槽不同；以及

(ii)所述第二多个沟槽中的每个都具有长度尺寸，所述第二多个沟槽中的每个的长度尺寸与所述第二多个沟槽的至少一个另外的沟槽不同。

13.根据权利要求9所述的器件，其中

(i)所述第一多个沟槽中的每个都具有长度尺寸，所述第一多个沟槽中的每个的长度尺寸都是相同的；以及

(ii)所述第二多个沟槽中的每个都具有长度尺寸，所述第二多个沟槽中的每个的长度尺寸都是相同的。

14.一种半导体器件，包括：

(a)半导体晶片，所述半导体晶片包括多个管芯；

(b)第一多个沟槽，所述第一多个沟槽形成在第一多个管芯中，所述第一多个沟槽中的每个都具有第一取向；以及

(c)第二多个沟槽，所述第二多个沟槽形成在第二多个管芯中，所述第二多个沟槽中的每个都具有与所述第一取向不同的第二取向。