[发明专利]存储器单元、电子系统、形成存储器单元的方法及对存储器单元进行编程的方法有效

专利信息
申请号: 200880111060.3 申请日: 2008-09-23
公开(公告)号: CN101821849A 公开(公告)日: 2010-09-01
发明(设计)人: 奎·S·民;雷特·T·布鲁尔;泰贾斯·克尔什纳莫翰;托马斯·M·格雷廷格;D·V·尼马尔·拉马斯瓦米;罗纳德·A·韦默;阿勒普·巴塔查里亚 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L27/115 分类号: H01L27/115
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 沈锦华
地址: 美国爱*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一些实施例包括具有彼此以电介质材料隔开的垂直堆叠式电荷捕获区的存储器单元。所述电介质材料可包含高k材料。所述电荷捕获区中的一者或一者以上可包含金属材料。所述金属材料可作为例如纳米点的多个离散隔离岛状物而存在。一些实施例包括形成存储器单元的方法,其中两个电荷捕获区形成于隧穿电介质上,其中所述区相对于彼此垂直地移位,且其中最接近于所述隧穿电介质的区具有比另一区深的陷阱。一些实施例包括包含存储器单元的电子系统。一些实施例包括对具有垂直堆叠式电荷捕获区的存储器单元进行编程的方法。
搜索关键词: 存储器 单元 电子 系统 形成 方法 进行 编程
【主权项】:
一种存储器单元,其包含彼此以包含含有镧系元素、氧及氮的至少一种电介质材料的区域隔开的一对电荷捕获区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司,未经美光科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200880111060.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top