[发明专利]存储器单元、电子系统、形成存储器单元的方法及对存储器单元进行编程的方法有效
| 申请号: | 200880111060.3 | 申请日: | 2008-09-23 |
| 公开(公告)号: | CN101821849A | 公开(公告)日: | 2010-09-01 |
| 发明(设计)人: | 奎·S·民;雷特·T·布鲁尔;泰贾斯·克尔什纳莫翰;托马斯·M·格雷廷格;D·V·尼马尔·拉马斯瓦米;罗纳德·A·韦默;阿勒普·巴塔查里亚 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
| 主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 沈锦华 |
| 地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 一些实施例包括具有彼此以电介质材料隔开的垂直堆叠式电荷捕获区的存储器单元。所述电介质材料可包含高k材料。所述电荷捕获区中的一者或一者以上可包含金属材料。所述金属材料可作为例如纳米点的多个离散隔离岛状物而存在。一些实施例包括形成存储器单元的方法,其中两个电荷捕获区形成于隧穿电介质上,其中所述区相对于彼此垂直地移位,且其中最接近于所述隧穿电介质的区具有比另一区深的陷阱。一些实施例包括包含存储器单元的电子系统。一些实施例包括对具有垂直堆叠式电荷捕获区的存储器单元进行编程的方法。 | ||
| 搜索关键词: | 存储器 单元 电子 系统 形成 方法 进行 编程 | ||
【主权项】:
一种存储器单元,其包含彼此以包含含有镧系元素、氧及氮的至少一种电介质材料的区域隔开的一对电荷捕获区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





