[发明专利]存储器单元、电子系统、形成存储器单元的方法及对存储器单元进行编程的方法

权利要求书

1.一种存储器单元，其包含彼此以包含至少一种电介质材料的区域隔开的一对电荷捕 获区，所述至少一种电介质材料含有镧系元素、氧及氮；其中所述一对电荷捕获区 的两个所述电荷捕获区均包含多个纳米点；其中所述电荷捕获区中的一者的所有所 述纳米点形成具有第一平均横截面尺寸的第一群体；其中所述电荷捕获区中的另一 者的所有所述纳米点形成具有第二平均横截面尺寸的第二群体；且其中所述第一平 均横截面尺寸与所述第二平均横截面尺寸相差至少10％；且其中

所述电荷捕获区相对于彼此垂直地堆叠，其中所述电荷捕获区中的一者为下部电 荷捕获区且另一者为上部电荷捕获区；

所述存储器单元进一步包含所述下部电荷捕获区与低层半导体衬底之间的隧穿 电介质；且

所述上部电荷捕获区的所述纳米点群体具有比所述下部电荷捕获区的所述纳米 点群体小的平均横截面尺寸。

2.一种存储器单元，其包含：

隧穿电介质；

所述隧穿电介质上的第一纳米点区，所述第一纳米点区的纳米点具有第一平均横 截面尺寸；

所述第一纳米点区上的第二纳米点区，所述第二纳米点区的纳米点具有第二平均 横截面尺寸，所述第二平均横截面尺寸比所述第一平均横截面尺寸小至少10％；

所述第一与第二纳米点区之间的至少一种间隔材料，其中所述至少一种间隔材料 包含含有镧系元素、氧及氮的电介质材料；以及

所述第二纳米点区上的控制栅极。

3.根据权利要求2所述的存储器单元，其进一步包含所述第二纳米点区上的一个或一 个以上额外纳米点区。

4.根据权利要求3所述的存储器单元，其中所述一个或一个以上额外纳米点区中的一 者为第三纳米点区，且其中所述第一、第二及第三纳米点区在陷阱深度方面彼此不 同。

5.根据权利要求3所述的存储器单元，其包含总数目在3到5个的纳米点区。