[发明专利]DMOS晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供一种DMOS晶体管及其制造方法。在本发明的DMOS晶体管中，通过斜向离子注入形成主体层时，能够降低漏电流，并且能够提高晶体管截止时的源极漏极间耐压。形成光致抗蚀层(18)之后，将光致抗蚀层(18)和栅电极(14)作为掩模，从A′箭头所示的第一方向向栅电极(14)的内侧的第一角部(14C1)进行第一离子注入。通过该第一离子注入，形成第一主体层(17A′)。第一主体层(17A′)从第一角部(14C1)延伸到栅电极(14)的下方而形成，从而能够确保第一角部(14C1)的主体层(17A′)的P型杂质浓度比现有例的晶体管高。

主权项

一种DMOS晶体管的制造方法，所述DMOS晶体管具备：半导体基板；第一导电型的源极层，其形成在所述半导体基板的表面上；栅极绝缘膜，其形成在所述半导体基板的表面上；栅电极，其隔着所述栅极绝缘膜包围所述源极层并形成为环状；第二导电型的主体层，其与所述源极层重叠，并且延伸到所述栅电极的下方的半导体基板的表面上；和第一导电型的漏极层，其与所述源极层对应地形成在所述半导体基板的表面上；该DMOS晶体管的制造方法的特征在于，形成所述主体层的工序，包括将第二导电型杂质朝所述栅电极的内侧的角部向所述半导体基板的表面进行离子注入的工序。