[发明专利]DMOS晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种DMOS晶体管的制造方法，所述DMOS晶体管具备：半导体 基板；第一导电型的源极层，其形成在所述半导体基板的表面上；栅极绝 缘膜，其形成在所述半导体基板的表面上；栅电极，其隔着所述栅极绝缘 膜包围所述源极层并形成为环状；第二导电型的主体层，其与所述源极层 重叠，并且延伸到所述栅电极的下方的半导体基板的表面上；和第一导电 型的漏极层，其与所述源极层对应地形成在所述半导体基板的表面上；该 DMOS晶体管的制造方法的特征在于，

形成所述主体层的工序，包括将第二导电型杂质朝所述栅电极的内侧 的角部向所述半导体基板的表面进行离子注入的工序。

2.根据权利要求1所述的DMOS晶体管的制造方法，其特征在于，

使离子注入方向相对于与所述半导体基板的表面垂直的方向倾斜第 一角度且相对于所述栅电极延伸的方向倾斜第二角度来进行所述离子注 入，所述第一角度在20°以上且45°以下，所述第二角度在15°以上且40° 以下或者在50°以上且75°以下。

3.根据权利要求1或2所述的DMOS晶体管的制造方法，其特征在 于，

所述源极层远离所述栅电极的内侧的角部而形成。

4.根据权利要求3所述的DMOS晶体管的制造方法，其特征在于，

所述漏极层形成为使所述漏极层的端部与所述源极层的端部对齐。

5.一种DMOS晶体管，其特征在于，具备：

半导体基板；

第一导电型的源极层，其形成在所述半导体基板的表面上；

栅极绝缘膜，其形成在所述半导体基板的表面上；

栅电极，其隔着所述栅极绝缘膜包围所述源极层并形成为环状；

第二导电型的主体层，其与所述源极层重叠，并且延伸到所述栅电极 的下方的半导体基板的表面；和

第一导电型的漏极层，其与所述源极层对应地形成在所述半导体基板 的表面上；

所述主体层的杂质浓度在所述栅电极的内侧的角部降低，所述源极层 远离所述角部而形成。

6.根据权利要求5所述的DMOS晶体管，其特征在于，

所述漏极层的端部与远离所述栅电极的角部的所述源极层的端部对 齐。