[发明专利]集成电路管芯封装的电磁屏蔽形成有效
| 申请号： | 200880107052.1 | 申请日： | 2008-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN101971326A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 金邦·唐;达雷尔·弗里尔;宗-凯·林;马克·A·曼格鲁姆;罗伯特·E·博特;劳伦斯·N·赫;肯尼斯·R·伯奇 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L23/02 | 分类号： | H01L23/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李佳;穆德骏 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种用于集成电路封装器件的电磁屏蔽。该方法包括：通过在密封结构中形成开口(401，403)来形成屏蔽结构。这些开口填充有围绕至少一个管芯的传导材料。密封结构可以包括多个集成电路管芯(169)。分层再分布结构形成在密封结构的一侧上。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 管芯 封装 电磁 屏蔽 形成 | ||
【主权项】：
一种制造具有EMI屏蔽的封装组件的方法，所述方法包括：将多个微电子器件附着到可释放附着器件；通过形成包括所述多个微电子器件的密封封装，来密封所述多个微电子器件，所述密封封装包括接触所述可释放附着器件的第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；形成穿过所述密封封装的第二表面的一个或多个通孔开口，以围绕第一密封微电子电路；在所述密封封装上方形成传导层，以至少部分地填充所述一个或多个通孔开口，从而形成围绕所述第一密封微电子电路的屏蔽通孔环结构；从所述密封封装的所述第一表面去除所述可释放附着器件，从而暴露所述密封封装所述第一表面处的所述第一密封微电子电路；以及在所述密封封装的所述第一表面上，形成分层再分布结构。
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