[发明专利]集成电路管芯封装的电磁屏蔽形成

权利要求书

1.一种制造具有EMI屏蔽的封装组件的方法，所述方法包括：

将多个微电子器件附着到可释放附着器件；

通过形成包括所述多个微电子器件的密封封装，来密封所述多个微电子器件，所述密封封装包括接触所述可释放附着器件的第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；

形成穿过所述密封封装的第二表面的一个或多个通孔开口，以围绕第一密封微电子电路；

在所述密封封装上方形成传导层，以至少部分地填充所述一个或多个通孔开口，从而形成围绕所述第一密封微电子电路的屏蔽通孔环结构；

从所述密封封装的所述第一表面去除所述可释放附着器件，从而暴露所述密封封装所述第一表面处的所述第一密封微电子电路；以及

在所述密封封装的所述第一表面上，形成分层再分布结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中将所述多个微电子器件附着到可释放附着器件的步骤包括：使用双面胶带层将所述多个微电子器件附着到工艺载体。

3.根据权利要求1所述的方法，其中将所述多个微电子器件附着到可释放附着器件的步骤包括：使用胶合层将所述多个微电子器件附着到工艺载体。

4.根据权利要求1所述的方法，其中将所述多个微电子器件附着到可释放附着器件的步骤包括：将接地框架附着到所述可释放附着器件。

5.根据权利要求1所述的方法，其中形成一个或多个通孔开口的步骤包括：通过执行穿过所述密封封装的激光切割，来切割穿过所述密封封装的所述第二表面，以形成一个或多个通孔开口。

6.根据权利要求1所述的方法，其中在形成传导层之后，执行形成所述分层再分布结构的步骤。

7.根据权利要求1所述的方法，其中在形成所述传导层之前，执行形成所述分层再分布结构的步骤。

8.根据权利要求1所述的方法，其中在所述密封封装的所述第一表面上形成分层再分布结构的步骤包括：形成包括屏蔽通孔结构的多层分层再分布结构，所述屏蔽通孔结构与在所述密封封装中形成的所述屏蔽通孔环结构基本上对准并与所述屏蔽通孔环结构电连接。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述屏蔽环结构包括：在所述多层分层再分布结构的层中的微通孔结构。

10.一种封装多个半导体管芯的方法，所述方法包括：

形成包括所述多个半导体管芯的密封结构，所述密封结构具有第一主表面和第二主表面；

形成第一电介质层，所述第一电介质层位于所述密封结构的所述第一主表面上；

在所述第一电介质层中形成多个开口；

形成多个传导结构，所述多个传导结构用于通过所述多个开口电耦合到每个所述半导体管芯的传导结构；

提供屏蔽层，所述密封结构的所述第二主表面位于所述密封结构所述第一主表面与所述屏蔽层之间；

形成第一屏蔽结构，所述第一屏蔽结构用于提供用于所述多个半导体管芯中至少一个半导体管芯的电磁屏蔽，其中形成第一屏蔽结构的步骤包括：形成至少一个传导结构，其中所述形成至少一个传导结构的步骤包括：

在所述密封结构中形成至少一个开口，所述至少一个开口从所述密封结构的所述第一主表面或所述第二主表面中的至少一个延伸，至少部分地穿过所述密封结构；以及

在所述至少一个开口中形成传导材料，以形成至少一个传导结构，所述屏蔽层电耦合到所述至少一个传导结构。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：

提供第二屏蔽层，所述第一电介质层位于所述密封结构的所述第一主表面与所述第二屏蔽层之间，其中所述屏蔽层通过所述至少一个传导结构电耦合到所述第二屏蔽层。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述至少一个开口从所述密封结构的所述第一主表面穿过所述密封结构延伸到所述密封结构的所述第二主表面。

13.根据权利要求10所述的方法，其中所述形成密封结构的步骤还包括：在接地平面的至少一侧上方形成密封层，其中，所述密封结构中的所述至少一个开口从所述密封结构的所述第二主表面延伸到所述接地平面，以及所述屏蔽层电耦合到所述接地平面。