[发明专利]强磁场性能得到提高的超导体、其制造方法、以及包含该超导体的MRI仪器有效
| 申请号： | 200880100945.3 | 申请日： | 2008-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101765399A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 金溶进 | 申请（专利权）人： | 金溶进 |
| 主分类号： | A61B5/055 | 分类号： | A61B5/055;G01R33/3873 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 丁业平;张天舒 |
| 地址： | 美国波*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明示例性地描述了一种超导体，该超导体包含：含有磁性杂质的超导材料以及在所述超导材料中形成的非磁性无序。本发明所述的超导体适用于磁体应用和电力传输。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 性能 得到 提高 超导体 制造 方法 以及 包含 mri 仪器 | ||
【主权项】：
一种超导体，其包含：含有磁性杂质的超导材料；以及在所述超导材料中形成的非磁性无序，其中，含有所述磁性杂质和所述非磁性无序的超导材料的上临界磁场强度和临界电流密度中的至少一者高于含有所述磁性杂质、但不含所述非磁性无序的超导材料的相应值。
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