[发明专利]扩散集成电阻器有效
| 申请号： | 200880023452.4 | 申请日： | 2008-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN101730937A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 瑟吉·庞塔罗洛;多米尼克·伯杰 | 申请（专利权）人： | 意法半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L29/8605 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张春媛;阎娬斌 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 电阻器由形成于轻掺杂N型半导体阱(29)的部分(29)中的轻掺杂P型区域(35)形成，轻掺杂N型半导体阱在轻掺杂P型半导体衬底(21)上延伸，该阱通过向下延伸至衬底的P型墙(27)横向分隔，该阱的部分通过在阱和衬底之间的界线处的重掺杂N型区域(31)垂直分隔并通过重掺杂N型墙(33)水平分隔。二极管(45)位于电阻器的接线端(37)和重掺杂N型墙(33)之间，二极管的阴极与所述接线端相连接。 | ||
| 搜索关键词： | 扩散 集成 电阻器 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：电阻器，所述电阻器由形成在轻掺杂N型半导体阱(25)的部分(29)中的轻掺杂P型区域(35)形成，该阱在轻掺杂P型半导体衬底(21)上延伸，该阱通过向下延伸至衬底(21)的P型墙(27)横向分隔，阱(25)的部分(29)通过在阱(29)和衬底(21)之间的界线处的重掺杂N型区域(31)垂直分隔并通过重掺杂N型墙(33)水平分隔，其中二极管(45)位于电阻器的接线端(37)和重掺杂N型墙(33)之间，二极管(45)的阴极与所述接线端(37)相连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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