[发明专利]扩散集成电阻器

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：电阻器，所述电阻器由形成在轻掺杂N型半导 体阱(25)的部分(29)中的轻掺杂P型区域(35)形成，该阱在轻掺杂P型半 导体衬底(21)上延伸，该阱通过向下延伸至衬底(21)的P型墙(27)横向分 隔，阱(25)的部分(29)通过重掺杂N型区域(31)垂直分隔并通过重掺杂N 型墙(33)水平分隔，所述重掺杂N型区域(31)在部分(29)和衬底(21)之 间的界线处，其中二极管(45)位于电阻器的接线端(37)和重掺杂N型墙(33) 之间，二极管(45)的阴极与所述接线端(37)相连接。

2.权利要求1的半导体结构，包括位于电阻器的所述接线端和地之间的保 护二极管，所述保护二极管的阴极与所述接线端相耦合。

3.权利要求1的半导体结构，其中该轻掺杂P型区域(35)是直线区域。

4.权利要求1的半导体结构，其中该二极管(45)用双极晶体管形成，它 的发射极(53)与接线端(37)相连接，它的基极(55)和集电极(57)与重掺 杂N型墙(33)相连接。

5.一种能测量线路中电流的放大电路(1)，包括两个输入(2，3)和一个 输出(O)，第一输入(2)与第一电阻器(R₁)的第一接线端相连接，第一电阻 器(R₁)的第二接线端与运算放大器(4)的正极输入相连接，第二输入(3)与 第二电阻器(R₂)的第一接线端相连接，第二电阻器(R₂)的第二接线端与运算 放大器(4)的负极输入相连接，该电路的增益取决于第一和第二电阻器中的一 个电阻器和电路内部的第三电阻器(R_L)之间的比率，其中第一和第二电阻器 (R₁，R₂)中的每个都是如权利要求1所述的半导体结构的类型。