[发明专利]使用微通路激光钻凿和导电层预布图形成衬底芯层结构的方法以及根据该方法形成的衬底芯层结构有效
| 申请号： | 200880022013.1 | 申请日： | 2008-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN101690435A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 李永刚;I·萨拉玛;C·古鲁穆尔蒂;H·阿齐米 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H05K3/46 | 分类号： | H05K3/46;H05K3/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 毛 力;袁 逸 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制造衬底芯层结构的方法，包括：在起始绝缘层的每一侧上设置其中形成开口的第一和第二经布图的导电层；在个第一和第二经布图的导电层上设置第一和第二补充绝缘层；激光钻凿延伸通过第一和第二经布图的导电层的至少一些导电层开口的一组通路开口；用导电材料填充一组通路开口以提供一组导电通路；并在各第一和第二补充绝缘层上设置第一和第二补充经布图的导电层，这组导电通路在其一侧与第一补充经布图的导电层接触，并在其另一侧与第二补充经布图的导电层接触。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 通路 激光 导电 层预布 图形 衬底 结构 方法 以及 根据 形成 | ||
【主权项】：
1.一种制造衬底芯层结构的方法，包括：提供起始绝缘层；在所述起始绝缘层的一侧上提供第一经布图的导电层并在所述起始绝缘层的另一侧上提供第二经布图的导电层，在所述第一经布图的导电层和第二经布图的导电层中的每一个之中界定多个导电层开口；在所述第一经布图的导电层上提供补充绝缘层并在所述第二经布图的导电层上提供第二补充绝缘层；激光钻凿一组通路开口，所述通路开口从所述第二补充绝缘层离所述第二经布图的导电层最远的一侧延伸至所述第一补充绝缘层离所述第一经布图的导电层最远的一侧，以使所述通路开口延伸通过所述第一经布图的导电层和所述第二经布图的导电层的至少一些导电层开口；用导电材料填充所述一组通路开口以提供一组导电通路；在所述第一补充绝缘层上提供第一补充经布图的导电层并在所述第二补充绝缘层上设置第二补充经布图的导电层，所述一组导电通路在其一侧与所述第一补充经布图的导电层接触，并在其另一侧与所述第二补充经布图的导电层接触。
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