[发明专利]使用微通路激光钻凿和导电层预布图形成衬底芯层结构的方法以及根据该方法形成的衬底芯层结构

说明书

领域

本发明的实施例总地涉及多层衬底芯层结构制造领域，更具体地涉及通过 在其中激光钻凿微通路而制造这样一种板的方法。

背景

多层衬底芯层结构传统地是通过首先提供铜包覆芯层来制造的。该铜包覆 芯层(CCL)可以是根据场合需要在一侧或两侧上具有铜包覆的叠层。这种制造 工艺的一个例子示出于图1-图8。如图1所示，首先提供一个两侧面的CCL 101，其包括绝缘叠层12以及顶部铜膜140和底部铜膜160。如图2所示，顶 部和底部铜膜140、160根据要布置在叠层120上的预定互连图案例如通过蚀 刻被预布图(pre-pattern)，从而提供经布图的铜膜150和170。此后，如图 3所示，例如ABF层190、210的介电层(即加强薄膜)被层叠在经布图的铜膜 150和160上，且如图4所示用来提供第一中间叠层180。如图4所示，第一 中间叠层180则通过机械钻凿和表面去垢而提供有通孔201以提供第二中间叠 层220。去垢涉及使用去垢手法处理电路板以溶解和去除因钻凿产生的尘垢。 如图5所示，通孔201以及中间叠层220的顶面和底面被电镀，从而提供具有 经电镀的通孔260的经电镀的中间叠层240。如图6所示，经电镀的中间叠层 240随后经历PTH充填以例如铜的导电材料250以形成充填的中间叠层280。 在下一阶段，如图7所示，经充填的中间叠层280可封盖电镀(lid plated)以 例如铜的导电材料，从而在其顶面和底面上提供封盖270、290，镀层发生在图 6的叠层280上已有的顶部镀层和底部镀层上，以产生封盖电镀的中间叠层 300。此后，例如通过蚀刻对出现在封盖电镀的中间叠层30的顶面和底面上的 铜进行布图，从而形成图8所示的布线板320。

现有技术的衬底一般构筑在厚芯层的基底上(例如具有大约0.7mm厚度的 基底(不包括任何内建或导电的层))。现有技术的芯层构造工艺可能漫长。以 四层式芯层为例，现有技术制造工艺的宏观工艺步骤可包括：芯层烘干和清洗、 芯层铜布图、铜粗加工、ABF层叠、电镀通孔钻凿、去垢、镀铜、铜粗加工、 电镀通孔充填、表面展平、镀铜、最后是铜布图。然而，机械电镀的通孔钻凿 可能是现有技术的多层衬底芯层结构的制造中成本最高的一道工艺。如上所述 的充填的需要会进一步增加根据现有技术的制造成本。

不利的是，根据现有技术的衬底芯层结构的衬底芯层结构可能成本很高， 并因为使用机械钻凿技术而导致高制造成本。这些成本在衬底芯层结构在未来 的应用中被小型化和缩放的情况下会进一步串升。另外，机械钻凿不适于制造 小于约150微米的孔。

现有技术无法提供制造多层衬底芯层结构的节约成本、便利和可靠的方 法。

附图简述

图1-8示出根据现有技术的形成衬底芯层结构的步骤；

图9a-9f示出根据第一实施例的形成多层衬底芯层结构的步骤；

图10a-10f示出根据第二实施例的形成多层衬底芯层结构的步骤；

图11a-11g示出根据第三实施例的形成多层衬底芯层结构的步骤；

图12是包含如图9f、10f或11g所示的多层衬底芯层结构的系统的一个 实施例的示意图。

为了简单和清楚地说明，附图中的部件不一定以比例绘制。例如，一些部 件的尺寸为清楚起见相对于其它部件被夸大表示。在认为合适时，可在这些附 图之间重复一些附图标记以表示相应或类似的部件。

详细说明

在下面的详细说明中，公开一种制造衬底芯层结构的方法、根据该方法形 成的衬底芯层结构以及包含该衬底芯层结构的系统。参见附图，在附图中以示 例方式示出本发明可投入实践的一些具体实施例。要理解可以存在其它实施例 并且能够不脱离本发明的范围和精神地作出其它结构性变化。