[发明专利]使用微通路激光钻凿和导电层预布图形成衬底芯层结构的方法以及根据该方法形成的衬底芯层结构

权利要求书

1.一种制造衬底芯层结构的方法，包括：

提供起始绝缘层；

在所述起始绝缘层的一侧上提供第一经布图的导电层并在所述起始绝缘 层的另一侧上提供第二经布图的导电层，在所述第一经布图的导电层和第二经 布图的导电层中的每一个之中界定多个导电层开口；

在所述第一经布图的导电层上提供第一补充绝缘层并在所述第二经布图 的导电层上提供第二补充绝缘层；

在所述第一补充绝缘层上提供第一补充导电层；

激光钻凿通过所述导电层开口以形成一组通路开口，所述一组通路开口从 所述第二补充绝缘层离所述第二经布图的导电层最远的一侧延伸至所述第一 补充绝缘层离所述第一经布图的导电层最远的一侧，以使所述通路开口延伸通 过所述第一经布图的导电层和所述第二经布图的导电层的至少一些导电层开 口并且到达但不通过所述第一补充导电层；

用导电材料填充所述一组通路开口以提供一组导电通路；

在填充所述一组通路开口之后，对所述第一补充导电层进行布图以在所述 第一补充绝缘层上提供第一补充经布图的导电层；以及

在所述第二补充绝缘层上提供第二补充经布图的导电层，所述一组导电通 路在其一侧与所述第一补充经布图的导电层接触，并在其另一侧与所述第二补 充经布图的导电层接触。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，填充所述一组通路开口包括 电镀。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，填充所述一组通路开口还包 括在电镀后充填以使所述一组导电通路包括经电镀和充填的导电通路。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述起始绝缘层和所述补充 绝缘层分别包括玻璃环氧树脂和双马来酰亚胺-三氮杂苯(BT)中的至少一者。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，提供所述第一经布图的导电 层和第二经布图的导电层包括：

分别在所述起始绝缘层的一侧上提供第一初始导电层并在所述起始绝缘 层的另一侧上提供第二初始导电层以形成芯层；以及

对所述第一初始导电层和所述第二初始导电层进行布图以形成所述第一 和第二经布图的导电层。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，提供所述第一补充绝缘层和 所述第二补充绝缘层包括层叠。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，提供所述第一补充经布图的 导电层包括：

在所述第一经布图的导电层上提供所述第一补充绝缘层之前，在所述第一 补充绝缘层的一侧上提供第一补充导电层，从而在所述第一经布图的导电层上 提供所述第一补充绝缘层之后，使所述第一补充绝缘层位于所述第一经布图的 导电层和第一补充导电层之间，所述一组通路开口延伸至所述第一补充导电 层。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于：

提供所述第二补充经布图的导电层包括：

在填充所述一组通路开口之后在所述第二补充绝缘层的一侧上提供 第二补充导电层；以及

对所述第二补充导电层进行布图以形成第二补充经布图的导电层。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，提供所述第二补充经布图的 导电层包括：在所述第二经布图的导电层上提供所述第二补充绝缘层之前，在 所述第二补充绝缘层的一侧上提供第二补充导电层，从而在所述第二经布图的 导电层上提供所述第二补充绝缘层之后，使所述第二补充绝缘层位于所述第二 经布图的导电层和所述第二补充导电层之间，所述一组通路开口延伸通过所述 第二补充导电层直至所述第一补充导电层。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一补充导电层和第二 补充导电层具有低于大约2微米的厚度。