[发明专利]曝光方法和电子器件制造方法无效
| 申请号： | 200880016220.6 | 申请日： | 2008-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN101681118A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 木内彻;白石直正;井上英也 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李春晖;李德山 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种通过投影光学系统(PL)将明暗图案曝光到基片(W)的每一个曝光区域中的曝光方法，包括位置检测步骤(S13)、变形计算步骤(S14)以及形状更改步骤(S15)：所述位置检测步骤检测在基片(W)的单元曝光域(10F)中的多个显微区域的位置；所述变形计算步骤基于在所述位置检测步骤(S13)中获得的所述多个显微区域位置的相关信息来计算所述单元曝光域(10F)中的变形状态；所述形状更改步骤基于在所述变形计算步骤(S14)中获得的变形状态来更改将曝光到所述基片(W)上的明暗图案的形状。在所述位置检测步骤中检测的所述显微区域包括在所述单元曝光域(10F)中形成的电路图案(S13)。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 方法 电子器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种通过投影光学系统将明暗图案曝光到基片的多个单元曝光域上的曝光方法，所述曝光方法包括：位置检测步骤，检测在所述基片的多个单元曝光域中的一个中的多个显微区域的相对于面内方向的位置；变形计算步骤，基于在所述位置检测步骤中获得的所述多个显微区域的位置的相关信息来计算所述单元曝光域中的变形状态；以及形状更改步骤，基于在所述变形计算步骤中获得的变形状态来更改将曝光到所述基片上的明暗图案的形状；其中，在所述位置检测步骤中检测的所述显微区域中的至少一个显微区域包括在所述多个单元曝光域中的一个中形成的电路图案。
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