[发明专利]曝光方法和电子器件制造方法

权利要求书

1.一种通过投影光学系统将明暗图案曝光到基片的多个单元曝光域上的曝光方法，所述曝光方法包括：

位置检测步骤，检测在所述基片的多个单元曝光域中的一个中的多个显微区域的相对于面内方向的位置；

变形计算步骤，基于在所述位置检测步骤中获得的所述多个显微区域的位置的相关信息来计算所述单元曝光域中的变形状态；以及

形状更改步骤，基于在所述变形计算步骤中获得的变形状态来更改将曝光到所述基片上的明暗图案的形状；

其中，在所述位置检测步骤中检测的所述显微区域中的至少一个显微区域包括在所述多个单元曝光域中的一个中形成的电路图案。

2.根据权利要求1的曝光方法，其中在所述位置检测步骤中检测的所述显微区域中的至少一个显微区域包括与基片上的相邻区域的亮度显著不同的亮度。

3.根据权利要求1或2所述的曝光方法，其中在所述位置检测步骤中检测的所述显微区域中的至少一个显微区域与所述一个显微区域的相邻区域在所述基片上是否形成了预定材料的薄膜方面不同。

4.根据权利要求1至3之一所述的曝光方法，其中在所述位置检测步骤中检测的所述显微区域中的至少一个显微区域与所述一个显微区域的相邻区域在电路图案密度方面显著不同。

5.根据权利要求4所述的曝光方法，其中所述显微区域中的至少一个显微区域的每个都包括周期性图案，所述周期性图案的节距小于在所述位置检测步骤中所使用的位置检测系统的分辨率。

6.根据权利要求1至5之一所述的曝光方法，其中在所述位置检测步骤中检测的所述显微区域中的至少一个显微区域包括沿与执行所述位置检测的扫描方向垂直的方向、长度长于或等于第一预定尺寸的两个长边，以及沿所述扫描方向、宽度长于或等于第二预定尺寸的宽边。

7.根据权利要求1至6之一所述的曝光方法，其中所述位置检测步骤使用位置检测系统检测落在基本上等于所述单元曝光域的范围内的多个预定位置，来检测所述多个显微区域的位置。

8.根据权利要求1至7之一所述的曝光方法，其中所述位置检测步骤检测所述多个显微区域中的至少4个显微区域的位置。

9.根据权利要求1至8之一所述的曝光方法，其中所述位置检测步骤包括通过挨个排列的多个位置检测机构来检测所述多个显微区域的位置。

10.根据权利要求9所述的曝光方法，其中所述多个位置检测机构的每个都包括检测镜筒部件和检测部件。

11.根据权利要求9所述的曝光方法，其中所述多个位置检测机构中的至少一个位置检测机构包括检测镜筒部件和布置在所述检测镜筒部件的检测范围内的多个检测部件。

12.根据权利要求1至8之一所述的曝光方法，其中所述位置检测步骤包括通过公共检测镜筒部件和挨个排列的多个检测部件来执行所述位置检测。

13.根据权利要求12所述的曝光方法，其中所述位置检测步骤包括在相对于所述公共检测镜筒部件移动所述基片的同时检测所述多个显微区域的位置。

14.根据权利要求1至13之一所述的曝光方法，其中所述位置检测步骤包括不通过所述投影光学系统而检测所述多个显微区域的位置。

15.根据权利要求1至14之一所述的曝光方法，其中所述形状更改步骤包括使所述明暗图案的形状变形为非线性形状。

16.根据权利要求1至15之一所述的曝光方法，其中所述形状更改步骤包括更改所述投影光学系统的像差的像差更改步骤。

17.根据权利要求1至16之一所述的曝光方法，其中所述形状更改步骤通过更改所述投影光学系统中至少一个光学表面的形状来更改所述明暗图案的形状。

18.根据权利要求17所述的曝光方法，其中所述至少一个光学表面是设置在所述投影光学系统的物面附近的位置、与所述物面光学共轭的位置、所述共轭位置附近的位置或所述投影光学系统的像面附近的位置的光学表面。

19.根据权利要求1至18之一所述的曝光方法，其中在所述基片上形成的所述明暗图案是在掩模上形成的图案的影像。