[发明专利]使用烧蚀膜连接微尺寸器件无效
| 申请号： | 200880012539.1 | 申请日： | 2008-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN101681851A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | M·Z·阿利;P·A·斯托尔特;G·A·豪金斯;T·M·斯蒂芬尼 | 申请（专利权）人： | 伊斯曼柯达公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/48;B81B7/00;B81C1/00;H05K3/10;H01L21/48;G01N27/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;王忠忠 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种为微尺寸器件提供连接性的方法，该方法包括如下步骤：提供具有至少顶表面的烧蚀基底材料；提供具有第一和第二表面以及具有至少在第一表面上的接合焊盘的管芯；放置该管芯，其中该管芯的至少第一表面接触所述烧蚀基底材料的该至少第一表面；以及在靠近管芯的烧蚀材料中烧蚀沟道。在沟道中放置一种提供到管芯的流体或电或光子或磁或机械连接的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 烧蚀膜 连接 尺寸 器件 | ||
【主权项】：
1、一种为微尺寸器件提供连接性的方法，该方法包括如下步骤：(a)提供具有至少顶表面的烧蚀基底材料；(b)提供具有第一和第二表面以及具有至少在该第一表面上的接合焊盘的管芯；(c)放置该管芯，其中该管芯的该至少第一表面接触所述烧蚀基底材料的至少顶表面；以及(d)在靠近管芯的烧蚀材料中烧蚀沟道
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
