[发明专利]使用烧蚀膜连接微尺寸器件无效
| 申请号: | 200880012539.1 | 申请日: | 2008-04-04 |
| 公开(公告)号: | CN101681851A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
| 发明(设计)人: | M·Z·阿利;P·A·斯托尔特;G·A·豪金斯;T·M·斯蒂芬尼 | 申请(专利权)人: | 伊斯曼柯达公司 |
| 主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/48;B81B7/00;B81C1/00;H05K3/10;H01L21/48;G01N27/28 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;王忠忠 |
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 使用 烧蚀膜 连接 尺寸 器件 | ||
1、一种为微尺寸器件提供连接性的方法,该方法包括如下步骤:
(a)提供具有至少顶表面的烧蚀基底材料;
(b)提供具有第一和第二表面以及具有至少在该第一表面上的接合焊盘的管芯;
(c)放置该管芯,其中该管芯的该至少第一表面接触所述烧蚀基底材料的至少顶表面;以及
(d)在靠近管芯的烧蚀材料中烧蚀沟道
2、根据权利要求1所述的方法,还包括在被烧蚀的沟道中放置材料以在其中提供连接材料的步骤。
3、根据权利要求1所述的方法,还包括在被烧蚀的沟道中放置流体以通过芯吸流体来提供到部分管芯的接触的步骤。
4、根据权利要求1所述的方法,还包括微尺寸器件上的支撑结构以控制流体芯吸。
5、根据权利要求1所述的方法,还包括如下步骤:
(a)确定所放置的微器件的位置和存储结果;以及
(b)使得烧蚀沟道与预先定位的微器件对准。
6、根据权利要求2所述的方法,其中填充沟道的材料是流体。
7、根据权利要求2所述的方法,其中填充沟道的材料提供到管芯的一个或多个电连接。
8、根据权利要求2所述的方法,其中填充沟道的材料是磁性材料。
9、根据权利要求2所述的方法,其中填充沟道的材料传送光。
10、根据权利要求2所述的方法,其中填充沟道的材料响应于声音或运动。
11、根据权利要求1所述的方法,包括在微尺寸器件上提供结构以促进到所述器件的流体、电、光子和机械连接。
12、一种用于连接在印刷板上安装的微尺寸器件的方法,该方法包括如下步骤:
(a)提供烧蚀印刷板;
(b)在印刷板上安装至少第一和第二微尺寸器件,每个器件具有一个或更多电连接或光学连接;
(c)在每个微尺寸器件之间的印刷板中烧蚀微尺寸沟道;
(d)在该沟道中放置导体或光学元件;以及
(e)在所述第一和第二微尺寸器件的电连接或光学连接之间连接导体或光学元件。
13、根据权利要求12所述的方法,还包括在沟道或增强型沟道中放置可芯吸的物质以为电连接或光学连接提供高效连接。
14、根据权利要求12所述的方法,还包括在沟道或增强型沟道中放置可固化的物质以稳定沟道中的电元件或光学元件。
15、根据权利要求12所述的方法,还包括在沟道或增强型沟道中放置粘性物质以进一步稳定所述电元件或光学元件。
16、根据权利要求12所述的方法,包括把电器件提供为第一和第二微尺寸器件的步骤。
17、根据权利要求16所述的方法,包括把有源电器件提供为电器件的步骤。
18、根据权利要求16所述的方法,包括把无源电器件提供为电器件的步骤。
19、根据权利要求12所述的方法,还包括在烧蚀印刷板中具有隆起的部分以用于容纳微尺寸器件的步骤。
20、根据权利要求12所述的方法,还包括沿微尺寸器件的相对边缘提供多个接合焊盘的步骤。
21、根据权利要求12所述的方法,还包括在微尺寸器件或烧蚀印刷板上放置粘合剂以用于安装的目的。
22、根据权利要求12所述的方法,还包括在沟道中放置微流体器件的步骤。
23、根据权利要求12所述的方法,还包括确定微尺寸器件的位置和存储结果的步骤。
24、根据权利要求23所述的方法,还包括根据存储的结果放置一个或更多烧蚀沟道的步骤。
25、一种设备,包括:
(a)具有至少顶表面的烧蚀基底材料;
(b)管芯,该管芯的至少第一表面接触所述烧蚀基底材料的至少第一表面;以及
(c)在靠近管芯的烧蚀材料中设置的沟道。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





